半导体装置及其检测方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种半导体装置及其检测方法。半导体装置包括电阻端、模仿拉升驱动器、比较器以及检测状态器。电阻端用来连接外部电阻。模仿拉升驱动器提供20级至2N+1-1级的驱动动作，其中N为自然数。比较器反应于测试电压与参考电压以输出比较信号。测试电压产生于电阻端与模仿拉升驱动器的耦接之处。检测状态器控制模仿拉升驱动器的驱动动作，并且根据比较信号来产生及输出检测信号。检测信号用来表示电阻端的电性连接状态为连接工作电压或浮置的状态、连接外部电阻的状态或是连接接地电压的状态。本发明专利技术可判别半导体装置的电阻端是否存在外接电阻。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术公开了一种。半导体装置包括电阻端、模仿拉升驱动器、比较器以及检测状态器。电阻端用来连接外部电阻。模仿拉升驱动器提供20级至2N+1-1级的驱动动作，其中N为自然数。比较器反应于测试电压与参考电压以输出比较信号。测试电压产生于电阻端与模仿拉升驱动器的耦接之处。检测状态器控制模仿拉升驱动器的驱动动作，并且根据比较信号来产生及输出检测信号。检测信号用来表示电阻端的电性连接状态为连接工作电压或浮置的状态、连接外部电阻的状态或是连接接地电压的状态。本专利技术可判别半导体装置的电阻端是否存在外接电阻。【专利说明】
本专利技术涉及一种，且特别涉及一种可检测本身电阻端的电性连接状态的。
技术介绍
具有电阻端的半导体装置(例如动态存储器装置(dynamic memory device))需检测电阻端是否有耦接外接电阻。一般半导体装置的检测机制可判别外接电阻是否存在，但并未考虑到未接外接电阻的情况为如何。因此，在未接外接电阻的情况，电阻端是否有耦接工作电压或接地电压、或是浮置，目前并没有这样的检测机制。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提出一种，藉以解决现有技术所述及的问题。本专利技术提出一种半导体装置，其包括电阻端、模仿拉升驱动器、比较器以及检测状态器。电阻端用以连接外部电阻。模仿拉升驱动器耦接至工作电压与电阻端，模仿拉升驱动器提供2°级至2n+1-1级的驱动动作，其中N为自然数。比较器反应于测试电压与参考电压以输出比较信号。测试电压产生于电阻端与模仿拉升驱动器的耦接之处。检测状态器耦接至比较器的输出端与模仿拉升驱动器。检测状态器控制模仿拉升驱动器的驱动动作，并且根据比较信号来产生及输出检测信号。检测信号可用来表示电阻端的电性连接状态为连接工作电压或浮置的状态、连接外部电阻的状态或是连接接地电压的状态。本专利技术另提出一种半导体装置的检测方法，用以检测半导体装置的电阻端的电性连接状态，检测方法包括步骤:提供模仿拉升驱动器、比较器与检测状态器，其中模仿拉升驱动器提供2°级至2n+1-1级的驱动动作，N为自然数，比较器反应于测试电压与参考电压以输出比较信号，其中测试电压产生于电阻端与模仿拉升驱动器的耦接之处；以及检测状态器控制模仿拉升驱动器的驱动动作，并且根据比较信号来产生及输出检测信号，其中检测信号用以表示电性连接状态为连接工作电压或浮置的状态、连接外部电阻的状态或是连接接地电压的状态。本专利技术的有益效果在于，基于上述，本专利技术可判别半导体装置的电阻端是否存在外接电阻，而在未接外接电阻的情况还可判别电阻端的电性连接状态是否为连接工作电压或浮置的状态、或是连接接地电压的状态。为让本专利技术的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下。【专利附图】【附图说明】图1是依照本专利技术一实施例的半导体装置的示意图。图2至图4是依照本专利技术一实施例的电性连接状态示意图。图5是图1的半导体装置的检测方法的流程图。图6是依照本专利技术另一实施例的半导体装置的示意图。其中，附图标记说明如下:10:电阻端20、620:模仿拉升驱动器30:比较器40、640:检测状态器100、600:半导体装置110:外部电阻200?205:驱动单元300 ?305:电阻650:模式寄存器组660:输出驱动器670:输入/输出端CMPOUT:比较信号D0UT〈1:0>:检测信号Dl:耦接之处GND:接地电压P<5: 0>、P<N:0>:控制信号Pl:金属氧化物半导体晶体管S501?S513:本专利技术一实施例的半导体装置的检测方法的各步骤VDD:工作电压VREF:参考电压VZQ:测试电压【具体实施方式】现将详细参考本专利技术的实施例，并在附图中说明所述实施例的实例。另外，在附图及实施方式中使用相同标号的元件/构件代表相同或类似部分。应理解，当元件被称为在另一元件“上”、“连接至”或“耦接至”另一元件时，其可直接在另一元件上、连接至或耦接至另一元件，或可存在介入元件。对比而言，当元件被称为“直接”在另一元件“上”、“直接连接至”或“直接耦接至”另一元件时，不存在介入元件。图1是依照本专利技术一实施例的半导体装置的示意图。请参阅图1。半导体装置100包括电阻端10、模仿拉升驱动器(dummy pull up driver)20、比较器30以及检测状态器(detection state machine)40。模仿拉升驱动器20稱接至工作电压VDD与电阻端10。检测状态器40耦接至比较器30的输出端与模仿拉升驱动器20。电阻端10可用来连接外部电阻110，而在电阻端10与模仿拉升驱动器20的耦接之处Dl可产生测试电压VZQ。比较器30的正输入端耦接测试电压VZQ，比较器30的负输入端耦接参考电压VREF。参考电压VREF的值可以为工作电压VDD的一半。模仿拉升驱动器20包括驱动单元200?205，而每一驱动单元包括金属氧化物半导体晶体管及/或电阻。例如驱动单元205之中，金属氧化物半导体晶体管Pl的第一端耦接工作电压VDD，金属氧化物半导体晶体管Pl的控制端接收来自模仿拉升驱动器20的控制信号P〈5:0>。此外，金属氧化物半导体晶体管Pl的第二端还可耦接电阻303。请注意，驱动单元205中的金属氧化物半导体晶体管Pl以P型MOS晶体管来实施，但是本领域技术人员应理解，亦可以依实际设计需求将驱动单元205中金属氧化物半导体晶体管Pl改以N型MOS晶体管来实施。在驱动单元200、201、202、203、204与205中，可包括电阻300?305或者不包括电阻300?305，因此电阻300?305的存在关系可有可无。值得一提的是，倘若以Ra表示驱动单元200中从工作电压VDD至端点Dl的内阻值，类似地，可以将Rb、Re、RcURe及Rf分别表示驱动单元201、202、203、204及205的内阻值。此时，各内阻值的相对关系为Ra兰Rb兰Re兰Rd兰Re兰Rf。此夕卜，电阻300?305可以是金属导线本身的寄生电阻(parasiticalresistance)。驱动单元200、201、202、203、204 与 205 可分别提供 2° 级(X IX21 级(X2)、22 级(X 4)、23级(X 8)、24级(X 16)与25级(X 32)的驱动动作。亦即，模仿拉升驱动器20可提供2°级至2n+1-1级的驱动动作，此处的N为5(自然数)。请注意，本专利技术对于驱动单元的数量并不局限于此实施例。半导体装置100的电阻端10的电性连接状态可能如图1所示为连接外部电阻110的状态，也可能如图2所示为浮置的(foating)状态，也可能如图3所示为连接工作电压VDD的状态，也可能如图4所示为连接接地电压GND的状态。关于检测状态器40的检测机制将于下文详述。图5是图1的半导体装置的检测方法的流程图。请合并参阅图1和图5。检测状态器40可输出控制信号P〈5:0>来控制模仿拉升驱动器20的驱动动作。当执行模仿拉升驱动器20的驱动动作时，测试电压VZQ将反应出电阻端10与模仿拉升驱动器20之间的电压变化及/或电压比例。如步骤S501所示，检测状态器40输出控制信号(P〈5:0> = 111110)来控制模仿拉升驱动器20的驱本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置，其特征在于，包括：一电阻端，用以连接一外部电阻；一模仿拉升驱动器，耦接至一工作电压与所述电阻端，所述模仿拉升驱动器提供20级至2N+1‑1级的驱动动作，其中N为自然数；一比较器，反应于一测试电压与一参考电压以输出一比较信号，其中所述测试电压产生于所述电阻端与所述模仿拉升驱动器的耦接之处；以及一检测状态器，耦接至所述比较器的输出端与所述模仿拉升驱动器，其中所述检测状态器控制所述模仿拉升驱动器的驱动动作，并且根据所述比较信号来产生及输出一检测信号，所述检测信号用以表示所述电阻端的一电性连接状态为连接所述工作电压或浮置的状态、连接所述外部电阻的状态或是连接一接地电压的状态。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张智翔，
申请(专利权)人：华邦电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：台湾;71