一种深紫外发光二极管及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种深紫外发光二极管及其制备方法。所述发光二极管，包括：衬底、第一n型AlGaN层、AlGaN/AlGaN多量子阱层、p型AlGaN电子阻挡层、第二n型AlGaN层、p型端电极、n型电极、倒装基板；第一n型AlGaN层具有第一表面和第二表面，AlGaN/AlGaN多量子阱层形成在第一表面上，n型电极形成在第二表面上；p型端电极形成在第二n型AlGaN层上；倒装基板通过焊料分别与p型端电极和n型电极焊接。本发明专利技术由于器件表面隧穿结的形成，p型端电极采用与n型材料形成良好欧姆接触的且具有高反射率的金属材料，提高紫外发光二极管芯片的出光效率，从而提高整体器件的外量子效率。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术公开了。所述发光二极管，包括：衬底、第一n型AlGaN层、AlGaN/AlGaN多量子阱层、p型AlGaN电子阻挡层、第二n型AlGaN层、p型端电极、n型电极、倒装基板；第一n型AlGaN层具有第一表面和第二表面，AlGaN/AlGaN多量子阱层形成在第一表面上，n型电极形成在第二表面上；p型端电极形成在第二n型AlGaN层上；倒装基板通过焊料分别与p型端电极和n型电极焊接。本专利技术由于器件表面隧穿结的形成，p型端电极采用与n型材料形成良好欧姆接触的且具有高反射率的金属材料，提高紫外发光二极管芯片的出光效率，从而提高整体器件的外量子效率。【专利说明】
本专利技术涉及半导体器件
，具体涉及。
技术介绍
目前所用的传统紫外光源是气体激光器和汞灯，存在着低效率、体积大、不环保和电压高等缺点。与之相反，基于AlGaN半导体材料的紫外发光二极管是一种固态紫外光源，它具有无汞污染、波长可调、体积小、集成性好、能耗低、寿命长等诸多优势，在杀菌消毒、癌症检测、皮肤病治疗等医疗卫生领域，在二恶英、多氯联苯、农药等污染物快速分解、以及水与空气净化等环保领域，在本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种深紫外发光二极管，其特征在于，包括：衬底；第一n型AlGaN层，形成在所述衬底上，具有第一表面和第二表面；AlGaN/AlGaN多量子阱层，形成在所述第一n型AlGaN层的第一表面上；p型AlGaN电子阻挡层，形成在所述AlGaN/AlGaN多量子阱层上；第二n型AlGaN层，形成在所述p型AlGaN电子阻挡层上，所述第二n型AlGaN层与所述p型AlGaN电子阻挡层形成隧穿结；p型端电极，形成在所述第二n型AlGaN层上，所述p型端电极为具有高反射率的金属材料，与所述第二n型AlGaN层形成欧姆接触；n型电极，形成在所述第一n型AlGaN层的第二表面上；倒装基板，通过焊料分别与所述p型端...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：吴志浩，方妍妍，戴江南，陈长清，
申请(专利权)人：武汉光电工业技术研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42