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本发明公开了一种深紫外发光二极管及其制备方法。所述发光二极管，包括：衬底、第一n型AlGaN层、AlGaN/AlGaN多量子阱层、p型AlGaN电子阻挡层、第二n型AlGaN层、p型端电极、n型电极、倒装基板；第一n型AlGaN层具有第一表...
该专利属于武汉光电工业技术研究院有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过武汉光电工业技术研究院有限公司授权不得商用。

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