【技术实现步骤摘要】
一种三维图形对准系统及方法
[0001]本专利技术涉及激光
,特别是一种三维图形对准系统及方法。
技术介绍
[0002]随着半导体技术的发展,光刻技术传递图形的尺寸限度缩小了2~3个数量级(从毫米级到亚微米级),已从常规光学技术发展到应用电子束、X射线、微离子束、激光等新技术;使用波长已从4000埃扩展到0.1埃数量级范围。光刻技术成为一种精密的微细加工技术。其用途也非常广泛,可用于制造半导体器件、多种集成电路、平面显示器(例如液晶显示器)、电路板、生物芯片、微机械电子芯片、光电子线路芯片等的芯片。
[0003]光刻工艺指是在表面匀胶砫片上,通过曝光显影等工艺将图形转移到光刻胶上的过程,为下一步进行刻蚀或者离子注入工序做好准备。三维图形可以通过一层一层的光刻实现,因此,-殷的芯片制程中至少需要10次以上的光刻工序甚至更多,每层版图的光刻都需要事先与前层图形进行对准。
[0004]目前,在对准系统中,前一层对位标记位置坐标的标定是通过CCD相机采集图片和图像处理技术来实现的。为了避免光学系统畸变的影响,对 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种三维图形对准系统,其特征在于,所述三维图形对准系统包括用于提供第一光束的第一激光单元、用于提供第二光束的第二激光单元、CCD相机、第一双色镜、第二双色镜、第三空间光调制器、物镜和位移台,其中,所述位移台上设置有晶圆,所述晶圆上制作有对位标记以及套刻检测用图形;所述CCD相机、所述第一双色镜、所述第二双色镜、所述第三空间光调制器、所述物镜和所述位移台依次设置于同一直线光路上,所述第一双色镜和所述第二双色镜以预设角度设置,用于分别接收来自所述第一激光单元的所述第一光束和所述第二激光单元的所述第二光束。2.根据权利要求1所述的三维图形对准系统,其特征在于,所述第一激光单元包括沿同一直线光路依次设置的第一激光器、第一透镜和第一空间光调制器。3.根据权利要求1所述的三维图形对准系统,其特征在于,所述第二激光单元包括沿同一直线光路依次设置的第二激光器、第二透镜和第二空间光调制器。4.根据权利要求1~3任一项所述的三维图形对准系统,其特征在于,所述对位标记为“十”字形。5.根据权利要求1~3任一项所述的三维图...
【专利技术属性】
技术研发人员:韩道,骆志军,姜瑾,孙文娟,吕威,
申请(专利权)人:武汉光电工业技术研究院有限公司,
类型:发明
国别省市:
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