基于多模式干涉的光谱量测系统和光刻设备技术方案

一种量测系统包括：辐射源、光学元件、第一检测器及第二检测器、包括多模波导的集成式光学装置、以及处理器。辐射源产生辐射。光学元件朝向目标引导辐射以产生来自目标的散射辐射。第一检测器接收散射辐射的第一部分并且基于所接收的第一部分产生第一检测信号。多模波导使用多模波导的模式干涉散射辐射的第二部分。第二检测器接收经干涉的第二部分并且基于所接收的经干涉的第二部分产生第二检测信号。处理器接收第一检测信号和第二检测信号。处理器对所接收的第一部分、所接收的经干涉的第二部分以及多模波导的传播特性执行分析。处理器基于所述分析确定目标的特性。于所述分析确定目标的特性。于所述分析确定目标的特性。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】基于多模式干涉的光谱量测系统和光刻设备
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求2020年7月16日递交的美国临时专利申请号63/052，651的优先权，该美国临时专利申请的全部内容以引用的方式并入本文中。


[0003]本专利技术涉及量测系统，例如用于确定光刻设备中的衬底上的特征的位置的对准传感器。

技术介绍

[0004]光刻设备是将期望的图案施加至衬底上，通常施加至衬底的目标部分上的机器。光刻设备可以用于例如制造集成电路(IC)。在那种情况下，可替代地称作掩模或掩模版的图案形成装置可以用于产生待形成于IC的单层上的电路图案。此图案可以转移至衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括管芯的一部分、一个管芯或若干管芯)上。通常经由成像至设置于衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上而进行图案的转移。一般而言，单一衬底将包含连续地图案化的相邻目标部分的网格。已知的光刻设备包括：所谓的步进器，在该步进器中，通过将整个图案一次曝光至目标部分上来照射每个目标部分；以及所谓的扫描仪，在该扫描仪中，通过在给定方向(“扫描”方向)上的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种量测系统，包括：辐射源，所述辐射源被配置为产生辐射；光学元件，所述光学元件被配置为朝向目标引导所述辐射，以产生来自所述目标的散射辐射；第一检测器，所述第一检测器被配置为接收所述散射辐射的第一部分并且基于所接收的第一部分产生第一检测信号；集成式光学装置，所述集成式光学装置包括多模波导，所述多模波导被配置为使用所述多模波导的模式干涉所述散射辐射的第二部分；第二检测器，所述第二检测器被配置为接收经干涉的第二部分并且基于所接收的经干涉的第二部分产生第二检测信号；以及处理器，所述处理器被配置为：接收所述第一检测信号和第二检测信号；对所接收的第一部分、所接收的经干涉的第二部分以及所述多模波导的传播特性执行分析；以及基于所述分析确定所述目标的特性。2.如权利要求1所述的量测系统，其中，所述处理器被进一步配置为确定所接收的经干涉的第二部分的波长成分。3.如权利要求2所述的量测系统，其中，进一步基于所确定的波长成分确定所述目标的特性。4.如权利要求2所述的量测系统，其中：所述处理器被配置为产生图像；以及所述图像中的每个图像分别对应于所述波长成分中的每种波长成分。5.如权利要求1所述的量测系统，其中，所述多模波导包括半导体材料和/或介电材料。6.如权利要求5所述的量测系统，其中，所述半导体材料和/或介电材料是si基、Ga基或Li基材料。7.如权利要求5所述的量测系统，其中，所述介电材料包括siN和/或SiO2。8.如权利要求1所述的量测系统，还包括分束元件，所述分束元件被配置为接收所述散射辐射并使所述散射辐射分束以产生所述第一部分和第二部分。9.一种光刻设备，包括：照射系统，所述照射系统被配置为照射图案形成装置的图案；投影系统，所述投影系统被配置为将所述图案的图像投影至衬底上；和量测系统，所述量测系统包括：辐射源，所述辐射源被配置为产生辐射；光学元件，所述光学元件被配置为朝向所述衬底上的目标引导所述辐射，以产生来自所述目标的散射辐射；第一检测器，所述第一检测器被配置为接收所述散射辐射的第一部分并且基于所接收的第一部分产生第一检测信号；多模波导装置，所述多模波导装置被配置为使用所述多模波导装置的模式干涉...

【专利技术属性】
技术研发人员：M，
申请(专利权)人：ASML控股股份有限公司，
类型：发明
国别省市：