研磨方法技术

本发明专利技术提供一种研磨方法，能够在晶片的边缘部形成光滑的垂直面。本发明专利技术的研磨方法，使晶片（W）旋转，进行第一研磨工序：在使研磨带（38）的一部分从推压垫（51）朝晶片（W）的半径方向内侧突出的状态下，通过推压垫（51）将研磨带（38）相对于晶片（W）的边缘部推抵而对该晶片（W）的边缘部进行研磨，并且将研磨带（38）的一部分沿推压垫（51）折弯；将折弯的研磨带（38）的一部分通过推压垫（51）朝晶片（W）的半径方向内侧推压，由此进行以研磨带（38）对晶片（W）的边缘部进一步研磨的第二研磨工序。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术提供一种，能够在晶片的边缘部形成光滑的垂直面。本专利技术的，使晶片（W）旋转，进行第一研磨工序：在使研磨带（38）的一部分从推压垫（51）朝晶片（W）的半径方向内侧突出的状态下，通过推压垫（51）将研磨带（38）相对于晶片（W）的边缘部推抵而对该晶片（W）的边缘部进行研磨，并且将研磨带（38）的一部分沿推压垫（51）折弯；将折弯的研磨带（38）的一部分通过推压垫（51）朝晶片（W）的半径方向内侧推压，由此进行以研磨带（38）对晶片（W）的边缘部进一步研磨的第二研磨工序。【专利说明】
本专利技术涉及对晶片等的基板进行研磨的，尤其涉及将研磨带等的研磨工具推抵在基板的周缘部而对该周缘部进行研磨的。
技术介绍
为了对晶片的周缘部进行研磨，使用研磨带或者具有固定磨粒等的研磨工具的研磨装置。这种研磨装置，一边使晶片旋转，一边使研磨工具接触晶片的周缘部并由此对晶片的周缘部进行研磨。本说明书中，对于晶片的周缘部，将其定义为包含位于晶片的最外周的斜角部、位于该斜角部的半径方向内侧的上边缘部以及底边缘部的区域。图52A以及图52B是表示晶片的周缘部的放大剖视图。更详细地说，图52A是所谓直型的晶片的剖视图，图52B是所谓圆型的晶片的剖视图。在图52A的晶片W中，斜角部是由上侧倾斜部(上侧斜角部)P、下侧倾斜部(下侧斜角部)Q、以及侧部(顶端)R构成的晶片W的最外周面(以附图标记B表不)。在图52B的晶片W中，斜角部是构成晶片W的最外周面的具有弯曲剖面的部分(以附图标记B表示)。上边缘部是与斜角部B相比位于半径方向内侧的平坦部El。底边缘 部是位于与上边缘部相反的一侧且与斜角部B相比位于半径方向内侧的平坦部E2。以下，将这些上边缘部El以及底边缘部E2统称地称作边缘部。边缘部有时还包括形成有器件的区域。在SOI (Silicon on Insulator:绝缘娃)基板等的制造工序中，如图53所示,要求在晶片W的边缘部形成垂直面以及水平面。这样的边缘部的截面形状能够通过图54所示那样的实现。即，一边使晶片W旋转，一边以推压垫300将研磨带301的边缘部推抵于边缘部，由此对晶片W的边缘部进行研磨。研磨带301的下表面构成保持有磨粒的研磨面，该研磨面与晶片W平行地配置。而且，在使研磨带301的边缘部位于晶片W的边缘部的状态下，以推压垫300将研磨带301的研磨面相对于晶片W的边缘部进行推抵，由此，能够在晶片W的边缘部形成图53所示那样的直角的截面形状，即垂直面以及水平面。然而，上述垂直面是通过以研磨带301的边缘部对晶片W的边缘部进行削去而形成的，因此，如图55A所示，存在垂直面粗糙的情况。另外，如图55B至图5?所示，存在在对作为消耗品的推压垫300进行更换的前后，垂直面的形状发生变化的情况。在SOI基板等的制造工序中，存在优选在晶片W的边缘部取代图53所示的垂直面而形成图56所示那样的倒锥面的情况。然而，以图54所示的难以形成这样的倒锥面。另外，存在由于通过晶片边缘部的水平面内的位置而使研磨带与水平面的接触面积不同，结果水平面的一部分倾斜的情况。对于该问题参照附图进行说明。图57是表示图54所示的推压垫300以及研磨带301的俯视图。晶片W为圆形而推压垫300为矩形形状。因此，如图57的虚线所示，研磨带301与晶片W的接触长度(即研磨面积)在晶片边缘部的水平面内的半径方向内侧区域和半径方向外侧区域是不同的。其结果，如图58所示，水平面内的半径方向内侧区域会倾斜。
技术实现思路
专利技术所要解决的课题本专利技术的第一目的在于，提供一种，能够在晶片等的基板的边缘部形成平滑的垂直面。另外，本专利技术的第二目的在于，提供一种，能够在晶片等的基板的边缘部形成倒锥面。并且，本专利技术的第三目的在于，提供一种，能够在晶片等的基板的边缘部形成平坦的水平面。用于解决课题的手段为实现上述目的，第一方式是一种，其特征在于，使基板旋转，进行第一研磨工序:在使研磨带的一部分从推压部件朝基板的半径方向内侧突出的状态下，通过所述推压部件将所述研磨带相对于所述基板的边缘部推抵而对该基板的边缘部进行研磨，并且将所述研磨带的所述一部分沿所述推压部件折弯；进行第二研磨工序:将折弯的所述研磨带的所述一部分通过所述推压部件朝所述基板的半径方向内侧推压，由此通过所述研磨带对所述基板的边缘部进一步进行研磨。第二方式是一种，其特征在于，使基板旋转，进行第一研磨工序:在使研磨带的一部分从推压部件朝基板的半径方向内侧突出的状态下，通过所述推压部件将所述研磨带相对于所述基板的边缘部推抵而对该基板的边缘部进行研磨，在所述第一研磨工序之后，将所述研磨带的一部分推抵于所述基板的边缘部并将所述研磨带的所述一部分沿所述推压部件折弯；进行第二研磨工序:将折弯的所述研磨带的所述一部分通过所述推压部件朝所述基板的半径方向内侧推压，由此以所述研磨带对所述基板的边缘部进一步进行研磨。第三方式是一种，其特征在于，使基板旋转，进行第一研磨工序:在使第一研磨带的一部分从第一推压部件朝基板的半径方向内侧突出的状态下，通过所述第一推压部件将所述第一研磨带相对于所述基板的边缘部推抵而对该基板的边缘部进行研磨，以第二研磨带的一部分从第二推压部件朝基板的半径方向内侧突出的方式，对所述第二研磨带与所述第二推压部件进行定位，通过所述第二推压部件将所述第二研磨带的所述一部分推压在通过所述第一研磨工序而在所述基板的边缘部形成的角部，并将所述第二研磨带的所述一部分沿所述第二推压部件折弯；进行第二研磨工序:将折弯的所述第二研磨带的所述一部分通过所述第二推压部件朝所述基板的半径方向内侧推压，由此以所述第二研磨带对所述基板的边缘部进一步进行研磨。第四方式是一种，其特征在于，使基板旋转，进行第一研磨工序:将研磨工具相对于所述基板的边缘部推抵而对该基板的边缘部进行研磨，在所述第一研磨工序之后，进行第二研磨工序:将所述研磨工具朝所述基板的半径方向内侧推压，由此以所述研磨工具对所述基板的边缘部进一步进行研磨。第五方式是一种，其特征在于，使基板旋转，进行滑动研磨工序，通过推压部件将研磨带相对于所述基板的边缘部推抵，并且，使所述研磨带以及所述推压部件朝所述基板的半径方向内侧移动直至到达规定的停止位置，反复进行所述滑动研磨工序，每次进行所述滑动研磨工序，均使所述停止位置朝所述半径方向内侧仅移动少许。第六方式是一种，其特征在于，将推压部件配置在从自基板的中心沿半径方向延伸的中心线上的原点位置向所述基板的切线方向仅以规定的距离错开的位置，所述切线方向相对于所述中心线垂直，使所述基板旋转，通过位于所述错开位置的推压部件将研磨带推抵于所述基板的边缘部而在该基板的边缘部形成水平面。第七方式是一种，其特征在于，将研磨工具配置在从自基板的中心沿半径方向延伸的中心线上的原点位置在所述基板的切线方向仅以规定的距离错开的位置上，所述切线方向相对于所述中心线垂直，使所述基板旋转，将位于所述错开位置的所述研磨工具推抵于所述基板的边缘部而在该基板的边缘部形成水平面。专利技术的效果根据第一方式至第四方式，通过第一研磨工序在基板的边缘部形成垂直面，通过第二研磨工序将垂直面加工得光滑。根据第五方式，能够在基板的边缘部形成图56所示那样的倒锥面。根据第六方式以及第本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种研磨方法，其特征在于，使基板旋转，进行第一研磨工序：在使研磨带的一部分从推压部件朝基板的半径方向内侧突出的状态下，通过所述推压部件将所述研磨带相对于所述基板的边缘部推抵而对该基板的边缘部进行研磨，并且将所述研磨带的所述一部分沿所述推压部件折弯，进行第二研磨工序：将折弯的所述研磨带的所述一部分通过所述推压部件朝所述基板的半径方向内侧推压，由此通过所述研磨带对所述基板的边缘部进一步进行研磨。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：户川哲二，吉田笃史，山下道义，
申请(专利权)人：株式会社荏原制作所，
类型：发明
国别省市：