承载和固定TEM样品的金属网制造技术

本发明专利技术涉及一种承载和固定TEM样品的金属网，所述金属网的底部为向下弯曲的弧形，所述金属网的顶部设有若干凹槽；每个所述凹槽的侧壁均设置有若干呈阶梯状分布的台阶，且所述台阶沿所述凹槽的侧壁向凹槽内逐渐延伸直至所述凹槽的底部。本发明专利技术将TEM样品制备工艺中用于固定和承载样品的金属网中固定样品的部分设置成阶梯状的台阶结构，使得可以一次性地放置多个样品以进行TEM观测；另外样品可以粘放于台阶的上表面上，相对于粘放于侧表面上而言，降低了脱落的可能性；另外，本发明专利技术的阶梯状台阶结构的设计，可以使得当粘放的样品发生掉落时，减少样品遗失的几率。

【技术实现步骤摘要】
承载和固定TEM样品的金属网
本专利技术涉及一种半导体制备工艺中的辅助器具，尤其涉及一种承载和固定TEM样品的金属网。
技术介绍
随着半导体工艺的发展，半导体器件的尺寸正在逐步成比例缩小，其关键尺寸变得越来越小，逐渐从90nm到45nm再到28nm，对于关键尺寸越来越小的半导体器件，通常采用FIB (聚焦等离子束)和Omniprobe (纳米操作器)来制备TEM (透射电镜)样品，因为用Omniprobe配合FIB来进行制样可以达到非常好的效果，即样品可以被制得很薄，基本可以满足TEM观测关键尺寸的形貌分析。中国专利(CN 101644642A)和美国专利(N0.6420722)中均记载了在FIB内进行原位取样的方法，该原位取样技术是一系列FIB研磨和样品移动步骤，用于产生具体与位置相关的样本，用于在TEM或其他分析仪器中进行随后的观察。在原位取样过程中，包含感兴趣区域的材料样品(通常是楔形的)首先通过FIB中的离子束研磨过程从块样品如半导体晶片或模具中完全分离出来。然后用内部纳米操纵器与离子束辅助化学气相沉积工艺结合进行取样样品的去除，该CVD工艺可用FIB工具获得。合适的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种承载和固定TEM样品的金属网，其特征在于，所述金属网的底部为向下弯曲的弧形，所述金属网的顶部设有若干凹槽；每个所述凹槽的侧壁均设置有若干呈阶梯状分布的台阶，且所述台阶沿所述凹槽的侧壁向凹槽内逐渐延伸直至所述凹槽的底部。

【技术特征摘要】
1.一种承载和固定TEM样品的金属网，其特征在于，所述金属网的底部为向下弯曲的弧形，所述金属网的顶部设有若干凹槽； 每个所述凹槽的侧壁均设置有若干呈阶梯状分布的台阶，且所述台阶沿所述凹槽的侧壁向凹槽内逐渐延伸直至所述凹槽的底部。2.如权利要求1所述的承载和固定TEM样品的金属网，其特征在于，每个所述台阶的上表面和侧表面均为平面。3.如权利要求1所述的承载和固定TEM样品的金属网，其特征在于，每个所述台阶的上表面和侧表面所呈的角度为直角。4.如权利要求3所述的承载和固定TEM样品的金属网，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：史燕萍，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：