等离子体处理设备及其静电卡盘制造技术

技术编号:9669381 阅读:103 留言:0更新日期:2014-02-14 09:49
本发明专利技术涉及一种静电卡盘,用于等离子体处理设备的反应腔室中,用于固定待加工件,静电卡盘包括:第一绝缘层,待加工件被置于第一绝缘层之上;第二绝缘层,位于第一绝缘层下方,第二绝缘层内设有一加热器,用于产生热量通过第一绝缘层加热待加工件;基体,位于第二绝缘层下方,用于支撑第一绝缘层和第二绝缘层,基体包括至少一个冷却液流道,用于注入冷却液对静电卡盘进行冷却;其中,静电卡盘至少还包括一隔热单元,设置于加热器下方,用于降低加热器产生的热量被冷却液带走的速度。其提高了加热器产生热量的利用率,使得待加工件快速升温。

【技术实现步骤摘要】
等离子体处理设备及其静电卡盘
本专利技术涉及半导体加工工艺,更具体地说,涉及半导体加工工艺所用的一种等离子体处理设备及其静电卡盘。
技术介绍
在等离子体刻蚀或化学气相沉积等工艺过程中,常采用静电卡盘(ElectroStatic Chuck,简称ESC)来固定、支撑及传送晶片(Wafer)等待加工件。静电卡盘设置于反应腔室中,其采用静电引力的方式,而非机械方式来固定晶片,可减少对晶片可能的机械损失,并且使静电卡盘与晶片完全接触,有利于热传导。现有的静电卡盘通常包括第一绝缘层和基体,第一绝缘层中设置有直流电极,该直流电极对晶片施加静电引力。为使静电卡盘具有足够大的升温速度,进而提高晶片刻蚀的均匀性,第一绝缘层中还可以铺设一加热器,用以通过静电卡盘加热晶片。或者,加热器可以形成独立的一层,设置于第一绝缘层和基体之间,通过硅胶分别与第一绝缘层和基体粘接在一起。加热器通常为一组加热丝,盘成螺旋形,由一交流电源通过一电路供电。基体中通常包括多个冷却液流道,用于注入冷却液对静电卡盘进行冷却。然而,在加热器加热晶片的过程中,由于基体通常由铝制成,其热传导率较高,且第二绝缘层和基体之间仅以硅胶本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种静电卡盘,用于等离子体处理设备的反应腔室中,用于固定待加工件,所述静电卡盘包括:第一绝缘层,所述待加工件被夹持于所述第一绝缘层之上;第二绝缘层,位于所述第一绝缘层下方,所述第二绝缘层内设有一加热器,用于产生热量通过所述第一绝缘层加热所述待加工件;基体,位于所述第二绝缘层下方,用于支撑所述第一绝缘层和第二绝缘层,所述基体包括至少一个冷却液流道,用于注入冷却液对所述静电卡盘进行冷却;其特征在于,所述静电卡盘至少还包括一隔热单元,设置于所述加热器下方,用于降低所述加热器产生的热量被所述冷却液带走的速度。

【技术特征摘要】
1.一种静电卡盘,用于等离子体处理设备的反应腔室中,用于固定待加工件,所述静电卡盘包括: 第一绝缘层,所述待加工件被夹持于所述第一绝缘层之上; 第二绝缘层,位于所述第一绝缘层下方,所述第二绝缘层内设有一加热器,用于产生热量通过所述第一绝缘层加热所述待加工件; 基体,位于所述第二绝缘层下方,用于支撑所述第一绝缘层和第二绝缘层,所述基体包括至少一个冷却液流道,用于注入冷却液对所述静电卡盘进行冷却; 其特征在于,所述静电卡盘至少还包括一隔热单元,设置于所述加热器下方,用于降低所述加热器产生的热量被所述冷却液带走的速度。2.如权利要求1所述的静电卡盘,其特征在于,所述隔热单元为一独立的隔热层,由热传导系数不高于陶瓷的材料制成,设置于所述第二绝缘层和所述基体之间。3.如权利要求2所述的静电卡盘,其特征在于,所述隔热层内还设置有至少一条密封的隔热道。4. 如权利要求3所述的静电卡盘,其特征在于,所述隔热层由如下材料的任一种制成: -陶瓷; -氧化铝; -真空隔热材料。5.如权利要求1所述的静电卡盘,其特征在于,所述隔热单元为至少一条密封的隔热道,设置于所述第二绝缘层中,位于所述加热器下方。6.如权利要求1所述的静电卡盘,其特征在于,所述隔热单元为至少一条密封的隔热道,设置于所述基体中。7....

【专利技术属性】
技术研发人员:左涛涛吴狄周宁倪图强王洪青
申请(专利权)人:中微半导体设备上海有限公司
类型:发明
国别省市:

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