等离子体处理设备及其静电卡盘制造技术

本发明专利技术涉及一种静电卡盘，用于等离子体处理设备的反应腔室中，用于固定待加工件，静电卡盘包括如下部分：第一绝缘层，待加工件被置于第一绝缘层之上；第二绝缘层，位于第一绝缘层下方，第二绝缘层内置有一加热器，用于产生热量通过第一绝缘层加热待加工件；基体，位于第二绝缘层下方，用于支撑第一绝缘层和第二绝缘层；其中，静电卡盘至少还包括一热传导层，设置于第一绝缘层和第二绝缘层之间，由热传导系数不低于铝的材料制成，用于使第二绝缘层产生的热量向第一绝缘层的不同区域均匀地传导。其能使第一绝缘层不同区域的温度均一，并能减少因热膨胀而对静电卡盘产生的损伤。

【技术实现步骤摘要】
等离子体处理设备及其静电卡盘
本专利技术涉及半导体加工エ艺，更具体地说，涉及半导体加工エ艺所用的一种等离子体处理设备及其静电卡盘。
技术介绍
在等离子体刻蚀或化学气相沉积等エ艺过程中，常采用静电卡盘(ElectroStatic Chuck，简称ESC)来固定、支撑及传送晶片(Wafer)等待加工件。静电卡盘设置于反应腔室中，其采用静电引力的方式，而非机械方式来固定晶片，可減少对晶片可能的机械损失，并且使静电卡盘与晶片完全接触，有利于热传导。现有的静电卡盘通常包括第一绝缘层和基座，第一绝缘层中设置有直流电极，该直流电极对晶片施加静电引力。为使静电卡盘具有足够大的升温速度，进而提高晶片刻蚀的均匀性，第一绝缘层中还可以铺设ー加热器，用以通过静电卡盘加热晶片。或者，加热器可以形成独立的ー层，设置于第一绝缘层和基座之间，通过硅胶分别与第一绝缘层和基座粘接在一起。加热器通常为ー组电阻丝，盘成螺旋形，由一交流电源通过ー电路供电。然而，一方面，由于第一绝缘层材料通常具有较低的热传导性、以及加热器中心部位的加热效果优于边缘部位，第一绝缘层各区域的温度会有较明显的差异甚至形成冷区和热区，从而对晶本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种静电卡盘，用于等离子体处理设备的反应腔室中，用于固定待加工件，所述静电卡盘包括如下部分：第一绝缘层，所述待加工件被置于所述第一绝缘层之上；第二绝缘层，位于所述第一绝缘层下方，所述第二绝缘层内置有一加热器，用于产生热量通过所述第一绝缘层加热所述待加工件；基体，位于所述第二绝缘层下方，用于支撑所述第一绝缘层和第二绝缘层；其特征在于，所述静电卡盘至少还包括一热传导层，设置于所述第一绝缘层和所述第二绝缘层之间，由热传导系数不低于铝的材料或陶瓷制成，所述热传导层用于使所述加热器产生的热量向所述第一绝缘层的不同区域均匀地传导。

【技术特征摘要】
1.一种静电卡盘，用于等离子体处理设备的反应腔室中，用于固定待加工件，所述静电卡盘包括如下部分: 第一绝缘层，所述待加工件被置于所述第一绝缘层之上； 第二绝缘层，位于所述第一绝缘层下方，所述第二绝缘层内置有一加热器，用于产生热量通过所述第一绝缘层加热所述待加工件； 基体，位于所述第二绝缘层下方，用于支撑所述第一绝缘层和第二绝缘层； 其特征在于，所述静电卡盘至少还包括一热传导层，设置于所述第一绝缘层和所述第二绝缘层之间，由热传导系数不低于铝的材料或陶瓷制成，所述热传导层用于使所述加热器产生的热量向所述第一绝缘层的不同区域均匀地传导。2.如权利要求1所述的静电卡盘，其特征在于，其还包括: 第一隔离粘接层，由伸缩性材料制成，设置于所述热传导层和所述第一绝缘层之间，用于适应所述热传导层和所述第一绝缘层之间不同幅度的热膨胀。3.如权利要求2所述的静电卡盘，其特征在于，其还包括: 第二隔离粘接层，由伸缩性材料制成，设置于所述热传导层和所述第二绝缘层之间，用于适应所述热传导层和所述第二绝缘层之间不同幅度的热膨胀。4.如权利要求2或3所述的静电卡盘，其特征在于，所述热传导层的制成材料包括铝或招合金。5.如权利要求2或3所述的静电卡盘...

【专利技术属性】
技术研发人员：左涛涛，吴狄，周宁，倪图强，
申请(专利权)人：中微半导体设备上海有限公司，
类型：发明
国别省市：