【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】有机电致发光元件用材料及使用了它的有机电致发光元件
本专利技术涉及有机电致发光元件用材料、以及有机电致发光元件。
技术介绍
在有机电致发光(EL)元件中，有荧光型及磷光型，根据各自的发光机理，研究最佳的元件设计。对于磷光型的有机EL元件，根据其发光特性已知，利用荧光元件技术的单纯的转用无法获得高性能的元件。对于其理由，通常如下考虑。首先，磷光发光是利用了三重态激子的发光，因此发光层中所用的化合物的能隙必须很大。这是因为，某个化合物的能隙(以下也称作单重态能量。)的值通常大于该化合物的三重态能量(本专利技术中，是指最低激发三重态与基态的能量差。)的值。所以，为了将磷光发光性掺杂剂材料的三重态能量有效地封入发光层内，首先，必须在发光层中使用与磷光发光性掺杂剂材料的三重态能量相比三重态能量大的主体材料。此外，还必须设置与发光层相邻的电子传输层、以及空穴传输层，在电子传输层、以及空穴传输层中使用比磷光发光性掺杂剂材料的三重态能量大的化合物。像这样，在基于以往的有机EL元件的元件设计思想的情况下，随着将具有比荧光型的有机EL元件中所用的化合物大的能隙的化合物用于磷光型的有机EL元件中，有机EL元件整体的驱动电压升高。另外，在荧光元件中有用的氧化耐性或还原耐性高的烃系的化合物由于π电子云的展宽大，因此能隙小。由此，磷光型的有机EL元件中，难以选择此种烃系的化合物，可以选择含有氧或氮等杂原子的有机化合物，其结果是，磷光型的有机EL元件与荧光型的有机EL元件相比具有寿命短的问题。此外，磷光发光性掺杂剂材料的三重态激子的激子弛豫速度与单重态激子相比非常长，这对元件性...
【技术保护点】
一种用下述式（1）表示的化合物，式（1）中，C1及C2表示碳原子；X1～X4各自独立地表示N、CH、或C（R1）；R1各自独立地表示单键、取代或未取代的碳数为1～20的烷基、取代或未取代的成环碳数为3～18的环烷基、取代或未取代的碳数为1～20的烷氧基、取代或未取代的成环碳数为3～18的环烷氧基、取代或未取代的成环碳数为6～18的芳基、取代或未取代的成环碳数为6～18的芳氧基、取代或未取代的成环碳数为6～18的芳硫基、取代或未取代的成环原子数为5～18的杂芳基、取代或未取代的成环原子数为5～18的杂芳氧基、取代或未取代的氨基、取代或未取代的甲硅烷基、取代或未取代的二芳氧基氧膦基、氟基、或氰基；其中，X1～X4当中的相邻的两个都是C（R1），在一方的R1为单键的情况下，与另一方的R1键合而形成包含该两个碳原子的环；L各自独立地表示用下述式（2）表示的基团，－L1－（A）n?????（2）式（2）中，n表示A连续的个数，其表示0～6的整数；在n为2以上的情况下，多个A既可以是彼此相同的基团，也可以是不同的基团；A是选自取代或未取代的碳数为1～20的烷基、取代或未取代的成环碳数为3～18的环...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2011.11.07 JP 2011-2434581.一种用下述式(I)表示的化合物， 2.根据权利要求1所述的化合物，其中， 所述两个L的至少一者中的A包含取代或未取代的成环原子数为13~18的杂芳基或亚杂芳基。3.根据权利要求1或2所述的化合物，其中， 所述两个L的至少一者中的A包含用下述式(4)表示的杂芳基或亚杂芳基； 4.根据权利要求1~3中任一项所述的化合物，其中， 所述两个L的至少一者中的A包含用下述式(5 )表示的杂芳基或亚杂芳基； 5.根据权利要求1~4中任一项所述的化合物，其中， 所述两个L的一方的η为O。6.—种有机电致发光兀件用材料,其含有权利要求1~5中任一项所述的化合物。7.一种有机电致发光元件，其在阴极与阳极之间具有包括发光层的I层以上的有机薄膜层，所述有机薄膜层的至少...
【专利技术属性】
技术研发人员：盐见拓史，桥本亮平，长岛英明，
申请(专利权)人：出光兴产株式会社，
类型：
国别省市：
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