用于有机电致发光器件的基于苯并菲的材料制造技术

本发明专利技术涉及用于有机电致发光器件的基于苯并菲的材料。具体地，本发明专利技术涉及式(1)和(2)的化合物，所述化合物适合用于电子器件中，特别是有机电致发光器件中。

Benzene based phenanthrene based materials for organic electroluminescent devices

The present invention relates to a benzoxazine based material for organic electroluminescent devices. In particular, the present invention relates to compounds of formula (1) and (2), which are suitable for use in electronic devices, especially organic electroluminescent devices.

【技术实现步骤摘要】
用于有机电致发光器件的基于苯并菲的材料本申请是申请日为2011年9月16日、申请号为201180049846.9、专利技术名称为“用于有机电致发光器件的基于苯并菲的材料”的中国专利技术专利申请的分案申请。
本专利技术涉及用于有机电致发光器件的基于苯并菲的材料。具体地，本专利技术涉及用于电子器件中，特别是用于有机电致发光器件中的材料。
技术介绍
在例如US4539507、US5151629、EP0676461和WO98/27136中，描述了其中将有机半导体用作功能材料的有机电致发光器件(OLED)的结构。在此处所使用的发光材料越来越多地为显示磷光而不是荧光的有机金属络合物(M.A.Baldo等人，Appl.Phys.Lett.(应用物理快报)1999，75，4-6)。由于量子力学原因，使用有机金属化合物作为磷光发光体可能实现最高达四倍的能量和功率效率。总的来说，在OLED的情况下，特别是还在显示三重态发光(磷光)的OLED的情况下，例如在效率、工作电压和寿命方面，仍然需要进行改进。对于在相对短波区域例如绿色区域发光的OLED而言，情况尤其如此。磷光OLED的性质不仅取决于使用的三重态发光体。特别地，在此处，使用的其它材料例如基质材料、空穴阻挡材料、电子传输材料、空穴传输材料和电子或激子阻挡材料，也是特别重要的。因此，这些材料的改进也能够导致OLED性质的显著改进。在这些材料用于荧光OLED的情况下，也仍然需要改进。根据现有技术，例如根据JP2005/071983或WO2006/038709，苯并菲衍生物用作磷光发光体的基质材料。然而，在使用这些基质材料时，特别是在器件的效率和寿命方面，还需要改进。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供适合用于荧光或磷光OLED特别是磷光OLED中的化合物，该化合物例如用作基质材料和/或用作空穴传输/电子阻挡材料或激子阻挡材料和/或用作电子传输或空穴阻挡材料。特别地，本专利技术的目的是提供适合用于绿色和红色磷光OLED的基质材料。令人惊讶地，已经发现，如下的苯并菲衍生物实现了该目的并且导致有机电致发光器件的改进，特别是在寿命、效率和工作电压方面的改进，所述苯并菲衍生物在1位和12位被芳族或杂芳族环系、羰基基团或氧化膦基团取代，或者在所述苯并菲衍生物中，1位和12位经由如下基团桥连，该基团选自在每种情况下任选取代的硼、碳、硅、锗、锡、氮、氧、硫或磷。这特别适用于红色和绿色磷光的电致发光器件，尤其是当本专利技术化合物用作基质材料时。本专利技术的材料能够以很少的步骤并且以高产率进行合成。因此，本专利技术涉及这些材料，并且涉及包含这种类型的化合物的有机电致发光器件。为清楚起见，苯并菲的编号描述如下：因此，本专利技术涉及下式(1)或式(2)的中性化合物，其中以下适用于使用的符号和标记：X在每次出现时相同或不同地优选相同地是BR2、C(R2)2、C＝O、Si(R2)2、Ge(R2)2、Sn(R2)2、NR2、O、S、SO、SO2、PR2或P(＝O)R2；或者，对于n＝0，X是下式(3)的基团，A是C、Si、Ge或Sn；此处A上的虚线键表示与苯并菲键合；Y是BR2、O、S、NR2、PR2或P(＝O)R2；Z在每次出现时相同或不同地是CR1或N，条件是每个环中最多两个基团Z代表N；R在每次出现时相同或不同地选自N(Ar1)2，C(＝O)Ar1，P(＝O)(Ar1)2和具有5至60个芳族环原子的芳族或杂芳族环系，所述环系在每种情况下可以被一个或多个基团R1取代；Ar1在每次出现时相同或不同地是具有5至60个芳族环原子的芳族或杂芳族环系，所述环系可以被一个或多个非芳族基团R3取代；在此处两个与同一N原子或P原子键合的基团Ar1还可以经由单键或选自N(R4)，C(R4)2，O或S的桥连基彼此桥连；R1在每次出现时相同或不同地选自H，D，F，Cl，Br，I，CN，NO2，N(Ar1)2，N(R3)2，C(＝O)Ar1，C(＝O)R3，P(＝O)(Ar1)2，具有1至40个C原子的直链烷基、烷氧基或硫代烷基基团或者具有3至40个C原子的支链或环状的烷基、烷氧基或硫代烷基基团或者具有2至40个C原子的烯基或炔基基团，其中所述烷基、烷氧基、硫代烷基、烯基或炔基基团在每种情况下可以被一个或多个基团R3取代，并且其中一个或多个非相邻的CH2基团可以被R3C＝CR3、C≡C、Si(R3)2、Ge(R3)2、Sn(R3)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR3、P(＝O)(R3)、SO、SO2、NR3、O、S或CONR3代替，并且其中一个或多个H原子可以被D、F、Cl、Br、I、CN或NO2代替，具有5至60个芳族环原子的芳族或杂芳族环系，所述环系在每种情况下可以被一个或多个基团R3取代，具有5至60个芳族环原子的芳氧基或杂芳氧基基团，所述基团可以被一个或多个基团R3取代，或这些体系的组合，其中两个或更多个与同一苯环键合的相邻取代基R1可以任选形成单环或多环的脂族、芳族或杂芳族环系；R2在每次出现时相同或不同地选自具有1至20个C原子的直链烷基基团或者具有3至20个C原子的支链或环状的烷基基团，所述基团中的每个可以被一个或多个基团R3取代，其中一个或多个非相邻的CH2基团可以被R3C＝CR3、C≡C、Si(R3)2、C＝O、C＝NR3、P(＝O)(R3)、SO、SO2、NR3、O、S或CONR3代替，并且其中一个或多个H原子可以被D、F、Cl、Br、I、CN或NO2代替，或者具有5至60个芳族环原子的芳族或杂芳族环系，所述环系在每种情况下可以被一个或多个基团R3取代，其中两个与同一碳、硅、锗或锡原子键合的取代基R2可以任选彼此形成单环或多环的脂族、芳族或杂芳族环系，所述环系可以被一个或多个基团R3取代；R3在每次出现时相同或不同地选自H，D，F，Cl，Br，I，CN，NO2，N(R4)2，C(＝O)Ar1，C(＝O)R4，P(＝O)(Ar1)2，具有1至40个C原子的直链烷基、烷氧基或硫代烷基基团或者具有3至40个C原子的支链或环状的烷基、烷氧基或硫代烷基基团或者具有2至40个C原子的烯基或炔基基团，其中所述烷基、烷氧基、硫代烷基、烯基或炔基基团可以被一个或多个基团R4取代，并且其中一个或多个非相邻的CH2基团可以被R4C＝CR4、C≡C、Si(R4)2、C＝O、C＝NR4、P(＝O)(R4)、SO、SO2、NR4、O、S或CONR4代替，并且其中一个或多个H原子可以被D、F、Cl、Br、I、CN或NO2代替，具有5至60个芳族环原子的芳族或杂芳族环系，所述环系在每种情况下可以被一个或多个基团R4取代，具有5至60个芳族环原子的芳氧基或杂芳氧基基团，所述基团可以被一个或多个基团R4取代，或这些体系的组合，其中两个或更多个相邻的取代基R3可以任选形成单环或多环的脂族、芳族或杂芳族环系，所述环系可以被一个或多个基团R4取代；R4选自H，D，F，CN，具有1至20个C原子的脂族烃基团，具有5至30个芳族环原子的芳族或杂芳族环系，其中一个或多个H原子可以被D、F、Cl、Br、I、CN或具有1至5个C原子的烷基基团代替，其中两个或更多个相邻的取代基R4可以彼此形成单环或多环的脂族、芳族或杂芳族环系；n是0或1；条件是，如果X代表C＝O、O、S、SO本文档来自技高网...

【技术保护点】
式(2)的中性化合物，

【技术特征摘要】
2010.10.15 DE 102010048608.61.式(2)的中性化合物，其中以下适用于使用的符号和标记：Z在每次出现时相同或不同地是CR1或N，条件是每个环中最多两个基团Z代表N；R在每次出现时相同或不同地选自N(Ar1)2，C(＝O)Ar1，P(＝O)(Ar1)2和具有5至60个芳族环原子的芳族或杂芳族环系，所述环系在每种情况下可以被一个或多个基团R1取代；Ar1在每次出现时相同或不同地是具有5至60个芳族环原子的芳族或杂芳族环系，所述环系可以被一个或多个非芳族基团R3取代；在此处两个与同一N原子或P原子键合的基团Ar1还可以经由单键或选自N(R4)、C(R4)2、O或S的桥连基彼此桥连；R1在每次出现时相同或不同地选自H，D，F，Cl，Br，I，CN，NO2，N(Ar1)2，N(R3)2，C(＝O)Ar1，C(＝O)R3，P(＝O)(Ar1)2，具有1至40个C原子的直链烷基、烷氧基或硫代烷基基团或者具有3至40个C原子的支链或环状的烷基、烷氧基或硫代烷基基团或者具有2至40个C原子的烯基或炔基基团，其中所述烷基、烷氧基、硫代烷基、烯基或炔基基团可以被一个或多个基团R3取代，并且其中一个或多个非相邻的CH2基团可以被R3C＝CR3、C≡C、Si(R3)2、Ge(R3)2、Sn(R3)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR3、P(＝O)(R3)、SO、SO2、NR3、O、S或CONR3代替，并且其中一个或多个H原子可以被D、F、Cl、Br、I、CN或NO2代替，具有5至60个芳族环原子的芳族或杂芳族环系，所述环系在每种情况下可以被一个或多个基团R3取代，具有5至60个芳族环原子的芳氧基或杂芳氧基基团，所述基团可以被一个或多个基团R3取代，或这些体系的组合，其中两个或更多个与同一苯环键合的相邻取代基R1可以任选形成单环或多环的脂族、芳族或杂芳族环系；R3在每次出现时相同或不同地选自H，D，F，Cl，Br，I，CN，NO2，N(R4)2，C(＝O)Ar1，C(＝O)R4，P(＝O)(Ar1)2，具有1至40个C原子的直链烷基、烷氧基或硫代烷基基团或者具有3至40个C原子的支链或环状的烷基、烷氧基或硫代烷基基团或者具有2至40个C原子的烯基或炔基基团，其中所述烷基、烷氧基、硫代烷基、烯基或炔基基团可以被一个或多个基团R4取代，其中一个或多个非相邻的CH2基团可以被R4C＝CR4、C≡C、Si(R4)2、C＝O、C＝NR4、P(＝O)(R4)、SO、SO2、NR4、O、S或CONR4代替，并且其中一个或多个H原子可以被D、F、Cl、Br、I、CN或NO2代替，具有5至60个芳族环原子的芳族或杂芳族环系，所述环系在每种情况下可以被一个或多个基团R4取代，具有5至60个芳族环原子的芳氧基或杂芳氧基基团，所述基团可以被一个或多个基团R4取代，或这些体系的组合，其中两个或更多个相邻的取代基R3可以任选形成单环或多环的脂族、芳族或杂芳族环系，所述环系可以被一个或多个基团R4取代；R4选自H，D，F，CN，具有1至20个C原子的脂族烃基团，具有5至30个芳族环原子的芳族或杂芳族环系，其中一个或多个H原子可以被D、F、Cl、Br、I、CN或具有1至5个C原子的烷基基团代替，其中两个或更多个相邻的取代基R4可以彼此形成单环或多环的脂族、芳族或杂芳族环系；条件是本发明不包括如下化合物：2.根据权利要求1所述的化合物，其选自式(7)的化合物，其中使用的符号具有在权利要求1中所给出的含义。3.根据权利要求1或2所述的化合物，其选自式(7a)的化合物，其中使用的符号具有在权利要求1中所给出的含义。4.根据权利要求1至3中的一项或多项所述的化合物，其特征在于，在式(2)或(7)或(7a)的化合物中，所述两个基团R是相同的。5.用于制备根据权利要求1至4中的一项或多项所述的化合物的方法，所述方法通过1,12-二锂苯并菲衍生物与亲电子试剂的反应或者通过在金属催化偶联反应中卤素或氨基取代的苯并菲衍生物的反应进行制备。6.一种低聚物、聚合物或树枝状大分子，其含有根据权利要求1至4中的一项或多项所述的化合物中的一种或多种，其中存在一个或多个从所述化合物至所述聚合物、低聚物或树枝状大分子的键。7.根据权利要求1至4中的一项或多项所述的化合物或者根据权利要求6所述的低聚物、聚合物或树枝状...

【专利技术属性】
技术研发人员：菲利普·施特塞尔，多米尼克·约斯滕，阿尔内·比辛，
申请(专利权)人：默克专利有限公司，
类型：发明
国别省市：德国,DE