一种静电卡盘制造技术

本发明专利技术提供一种静电卡盘，用于等离子体处理装置中固定待加工件，其包括：第一绝缘层；电极，位于所述第一绝缘层之中，用于连接一可控直流电源以产生静电力吸附待加工件；第二绝缘层，位于所述第一绝缘层的下方；加热器，设置于所述第二绝缘层内，所述加热器产生的热量加热所述待加工件；基体，位于所述第二绝缘层的下方，用于支撑所述第一绝缘层以及第二绝缘层，所述基体至少包括一冷却液流道，用于注入冷却液对静电卡盘进行冷却；其中，所述基体还包括：一阻热单元，所述阻热单元设置于所述冷却液流道的上部且其上表面与所述第二绝缘层的下表面相贴，所述阻热单元用于降低所述加热器所产生的热量向所述冷却液流道传递的速度。

【技术实现步骤摘要】
一种静电卡盘
本专利技术涉及半导体制程设备，具体地，涉及用于固定被实施等离子体处理的待加工件的静电卡盘以及具有该静电卡盘的等离子体处理装置。
技术介绍
在半导体设备的制造过程中，例如蚀刻、沉积、氧化、溅射等处理过程中，通常会利用等离子体对待加工件(晶片)进行处理。一般地，对于等离子体处理装置来说，作为生成等离子体的方式，大体上可分为利用电晕(glow)放电或者高频放电，和利用微波等方式。例如，在高频放电方式的等离子体处理装置中，待加工件被置于静电卡盘之上，所述静电卡盘通过静电力来固定所述待加工件。现有的静电卡盘通常包括第一绝缘层和基体，第一绝缘层中设置有直流电极，由该直流电极对晶片施加静电力。在对待加工件进行等离子化处理的过程中，静电卡盘需要在纵向上向待加工件传递热量，以提高晶片蚀刻的均匀性，为此目前的等离子体加工处理过程中会在陶瓷材料的第一绝缘层的下方添加第二绝缘层，在第二绝缘层中设置加热丝等进行加热。第一绝缘层与第二绝缘层之间通过硅胶粘结在一起。基体中通常包括多个冷却液流道，用于注入冷却液对静电卡盘进行冷却。然而，在加热晶片的过程中，由于基体通常由铝制成，其热传导率较高，第二绝缘本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种静电卡盘，用于等离子体处理装置中固定待加工件，其包括：第一绝缘层，用于承载所述待加工件；电极，位于所述第一绝缘层之中，用于连接一可控直流电源以产生静电力吸附待加工件；第二绝缘层，位于所述第一绝缘层的下方；加热器，设置于所述第二绝缘层内，所述加热器产生的热量能够通过所述第二绝缘层传递至所述第一绝缘层来加热所述待加工件；基体，位于所述第二绝缘层的下方，用于支撑所述第一绝缘层以及第二绝缘层，所述基体至少包括一冷却液流道，用于注入冷却液对静电卡盘进行冷却；其特征在于，所述基体还包括：一阻热单元，所述阻热单元设置于所述冷却液流道的上部且其上表面与所述第二绝缘层的下表面相贴，所述阻热单元用于降低所述加...

【技术特征摘要】
1.一种静电卡盘，用于等离子体处理装置中固定待加工件，其包括：第一绝缘层，用于承载所述待加工件；电极，位于所述第一绝缘层之中，用于连接一可控直流电源以产生静电力吸附待加工件；第二绝缘层，位于所述第一绝缘层的下方；加热器，设置于所述第二绝缘层内，所述加热器产生的热量能够通过所述第二绝缘层传递至所述第一绝缘层来加热所述待加工件；基体，位于所述第二绝缘层的下方，用于支撑所述第一绝缘层以及第二绝缘层，所述基体至少包括一冷却液流道，用于注入冷却液对静电卡盘进行冷却；其特征在于，所述基体还包括：一阻热单元，所述阻热单元设置于所述冷却液流道的上部且其上表面与所述第二绝缘层的下表面相贴，所述阻热单元用于降低所述加热器所产生的热量向所述冷却液流道传递的速度；其中，所述阻热单元包括第一阻热层，所述第一阻热层由钛或钛合金材料制成，所述第一阻热层贴于所述第二绝缘层的下方。2.根据权利要求1所述的静电卡盘，其特征在于，所述阻热单元还包括第二阻热层，所述第二阻热层由钛或钛合金材料或铝材料制成，所述第二阻热层贴于所述第一阻热层的下方。3.根据权利要求1所述的静电卡盘，其特征在于，其包括：隔离粘结层...

【专利技术属性】
技术研发人员：左涛涛，吴狄，周宁，倪图强，
申请(专利权)人：中微半导体设备上海有限公司，
类型：发明
国别省市：