一种低烧结温度的氧化铝陶瓷及其加工方法技术

本发明专利技术公开了一种低烧结温度的氧化铝陶瓷，所述氧化铝陶瓷具有以下重量百分含量的组分：α-氧化铝92.5～97.5wt%，氧化铜1.0～2.5wt%，二氧化钛2.5～5.0wt%。还公开了一种低烧结温度的氧化铝陶瓷的加工方法。通过用氧化铜和二氧化钛作为氧化铝陶瓷的辅料，降低了该氧化铝陶瓷的烧结温度，减少了生产成本，实现了节能环保。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电子陶瓷
，特别涉及。
技术介绍
在电子陶瓷工业中，电子陶瓷是传统叫法，实际应称:“氧化物结构陶瓷”，该陶瓷是发展比较早和应用广泛的一类陶瓷材料，一般指熔点高于SiO2晶体熔点(1730度)的各种简单氧化物陶瓷。如AL203、MgO、ZrO2, BeO、ThO2, TiO2,或复合氧化物陶瓷，如AL6Si2O13 (莫来石XMgAL2O4 (尖晶石)，堇青石等。电子陶瓷是通过对表面、晶界和尺寸结构的控制而最终获得具有新功能的陶瓷。在能源、机械、化工、电子、环保、航天、家用电器、汽车等很多方面可以广泛应用。氧化铝陶瓷是一类重要的高温结构陶瓷，机械强度高、硬度大、耐腐蚀、耐磨损、电阻率大，广泛应用于电子、化工、机械等领域。95氧化铝陶瓷的生产，具有上百年的历史。而传统的配方就是“硅+钙+铝”的三元配方，其烧结温度一般在1680°C~1720°C。目前，有许多科研单位及一些大型企业也做过降温研究。如采用加镁、加钛等降温材料，但其烧结温度都在1550°C~1650°C。通常的氧化铝陶瓷烧结方法具有二种。一种是固相烧结，引入少量MgO，致密化烧结温度取决于氧化铝粉体较轻，比表面积和烧结活性，对于化学合成的高纯超细氧化铝粉，在较低的温度1350°C~1550°C即可达到99.5%的相对密度，但是，这种高纯超细氧化铝粉价格太贵，相当于传统氧化铝粉的10倍以上。第二种烧结方法是液相烧结:根据CaO-Al2O1-SiO2体系，烧结温度可`降到1495°C左右，但必须把小料烧成熔块，因此成本相应提闻。综上所述，现有氧化铝陶瓷的烧结温度高，一般在1680°C~1720°C，因此耗电量高，每公斤产品的耗电量为3~4度；成本高，部分生产企业采用高纯超细氧化铝粉试制95瓷，其烧结温度确可降低至1350°C~1550°C，但其高纯超细氧化铝粉市场价格相当于普通氧化铝粉10倍以上。
技术实现思路
为了解决现有技术的问题，本专利技术实施例提供了。所述技术方案如下:提供了一种低烧结温度的氧化铝陶瓷，所述氧化铝陶瓷具有以下重量百分含量的组分: α -氧化铝92.5 ~97.5wt%, 氧化铜1.0~2.5wt%,二氧化钦2.5~5.0wt%。进一步地，所述氧化铝陶瓷具有以下重量百分含量的组分: α -氧化铝94.5 ~95.5wt%, 氧化铜1.25~1.75wt%, 二氧化钛3.25 ~3.75wt%0还提供了一种低烧结温度的氧化铝陶瓷的加工方法，所述加工方法包括以下步骤: SI，先称取预定量的氧化铜和二氧化钛粉料，将二种粉料混合均匀成氧化铝陶瓷辅料，将所述氧化铝陶瓷辅料在1050°c~1200°C温度下煅烧I~2小时； S2，将步骤SI中煅烧后的所述氧化铝陶瓷辅料自然冷却至常温，然后研磨至粒径为85~110目； S3，将经过步骤S2研磨后的所述氧化铝陶瓷辅料加入到预定量的α -氧化铝粉料中，然后球磨成粒径为300~350目的混合氧化铝陶瓷材料。进一步地，步骤SI中，所述氧化铝陶瓷辅料的煅烧条件是，在1100°C~1150°C温度下煅烧1.2~1.5小时。进一步地，步骤S2中所述氧化铝陶瓷辅料研磨后的粒径为95~100目，步骤S3中得到的所述混合氧化铝陶瓷材料的粒径为300~325目。本专利技术实施例提 供的技术方案带来的有益效果是: 通过用氧化铜和二氧化钛作为氧化铝陶瓷的辅料，降低了该氧化铝陶瓷的烧结温度，减少了生产成本，实现了节能环保。【具体实施方式】为使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面对本专利技术实施方式作进一步地详细描述。实施例一 本实施例提供了一种低烧结温度的氧化铝陶瓷，该氧化铝陶瓷具有以下重量百分含量的组分: α -氧化铝92.5 ~97.5wt%, 氧化铜1.0~2.5wt%, 二氧化钦2.5~5.0wt%。其中，α -氧化铝化学分子式为α -Al2O3，主要是使用95- Al2O3 ;氧化铜的化学分子式为CuO ;二氧化钛化学分子式为TiO2。实施例二 本实施例提供了一种低烧结温度的氧化铝陶瓷，该氧化铝陶瓷具有以下重量百分含量的组分: α -氧化招92.5wt%, 氧化铜2.5wt%, 二氧化钛5.0wt%。实施例三 本实施例提供了一种低烧结温度的氧化铝陶瓷，该氧化铝陶瓷具有以下重量百分含量的组分: α -氧化铝97.5wt%, 氧化铜1.0wt%, 二氧化钛2.5wt%。实施例四 本实施例提供了一种低烧结温度的氧化铝陶瓷，该氧化铝陶瓷具有以下重量百分含量的组分: α -氧化铝94.5 ~95.5wt%, 氧化铜1.25~1.75wt%, 二氧化钛3.25 ~3.75wt%0实施例五 本实施例提供了一种低烧结温度的氧化铝陶瓷，该氧化铝陶瓷具有以下重量百分含量的组分: α -氧化招95.5wt%, 氧化铜1.25wt%, 二氧化钛3.25wt%0实施例六 本实施例提供了一种低烧结温度的氧化铝陶瓷，该氧化铝陶瓷具有以下重量百分含量的组分: α -氧化招95.0wt%, 氧化铜1.5wt%, 二氧化钛3.5wt%。实施例七 本实施例提供了一种低烧结温度的氧化铝陶瓷的加工方法，该加工方法包括以下步骤: SI，先称取预定量的氧化铜和二氧化钛粉料，将二种粉料混合均匀成氧化铝陶瓷辅料，将氧化铝陶瓷辅料在1050°c~1200°C温度下煅烧I~2小时。S2，将步骤SI中煅烧后的氧化铝陶瓷辅料自然冷却至常温，然后研磨至粒径为85~110目。S3，将经过步骤S2研磨后的氧化铝陶瓷辅料加入到预定量的α _氧化铝粉料中，然后球磨成粒径为300~350目的混合氧化铝陶瓷材料。其中，步骤SI中预定量的氧化铜和二氧化钛粉料以及步骤S3中预定量的α-氧化铝粉料是实施例一至六中任一实施例所记载的百分比组分。作为优选的实施方式，步骤SI中，氧化铝陶瓷辅料的煅烧条件是，在1100°C~1150°C温度下煅烧1.2~1.5小时。并且以1125°C条件下煅烧1.25小时为最佳。步骤S2中氧化铝陶瓷辅料研磨后的粒径为95~100目，步骤S3中得到的所述混合氧化铝陶瓷材料的粒径为300~325目。本实施例氧化铝陶瓷的加工方法还包括制蜡饼、热压注成型、装坯排蜡、吹灰、装钵、高温烧结、振洗、检验包装等工序，这些工序与现有技术的电子陶瓷加工方法相同，在此不再一一赘述。以上所述仅为本专利技术的较佳实施例，并不用以限制本专利技术，凡在本专利技术的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换`、改进等，均应包含在本专利技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种低烧结温度的氧化铝陶瓷，其特征在于，所述氧化铝陶瓷具有以下重量百分含量的组分：α?氧化铝??????????92.5～97.5wt%，氧化铜?????????????1.0～2.5wt%，二氧化钛???????????2.5～5.0wt%。

【技术特征摘要】
1.一种低烧结温度的氧化铝陶瓷，其特征在于，所述氧化铝陶瓷具有以下重量百分含量的组分: α -氧化铝92.5 ~97.5wt%, 氧化铜 1.0~2.5wt%, 二氧化钦2.5~5.0wt%。2.根据权利要求1所述的低烧结温度的氧化铝陶瓷，其特征在于，所述氧化铝陶瓷具有以下重量百分含量的组分: α -氧化铝94.5 ~95.5wt%, 氧化铜 1.25~1.75wt%, 二氧化钛3.25 ~3.75wt%3.根据权利要求1或者2所述的一种低烧结温度的氧化铝陶瓷的加工方法，其特征在于，所述加工方法包括以下步骤: SI，先称取预定量的氧化铜和二氧化钛粉料，将二种粉料混合均匀成氧化铝陶瓷辅料，将所...

【专利技术属性】
技术研发人员：彭知福，
申请(专利权)人：新化县鑫天电子陶瓷有限公司，
类型：发明
国别省市：