SiC单晶体的制造装置以及SiC单晶体的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术的目的在于提供能够对安装于籽晶轴的晶种高效地进行冷却的SiC单晶体的制造装置。该制造装置具备：坩埚（14），其用于容纳Si－C溶液（16）；以及籽晶轴（30），具有供SiC晶种（36）安装的下端面（34）。籽晶轴包括：内管（48），其在坩埚的高度方向上延伸，在自身内侧形成第1流路（60）；外管（50），其容纳内管，在该外管（50）与内管之间形成第2流路（SP1）；以及底部，其覆盖外管的下端开口且具有下端面。第1流路以及第2流路中的一者是供冷却气体向下方流动的导入流路，另一者是供冷却气体向上方流动的排出流路。从籽晶轴的轴向观察，SiC晶种的60%以上的区域与形成导入流路的管的内侧的区域重叠。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种SiC单晶体的制造装置，详细地说涉及一种利用溶液生长法的SiC单晶体的制造装置。
技术介绍
作为制造炭化硅(SiC)的单晶体的方法，一直以来众所周知有溶液生长法。溶液生长法为使SiC的单晶体在浸溃于Si — C溶液的SiC的晶种上生长。Si — C溶液指的是碳(C)熔化于Si或者Si合金的熔体而得到的溶液。优选的是，在溶液与固相SiC处于热力学平衡状态的组成范围内使碳更多地熔化于溶液中。使SiC晶种与Si — C溶液(液相)接触，至少使晶种附近的溶液部分处于过冷却状态。由此，在晶种附近的溶液部分中创造SiC的过饱和状态，使SiC单晶体在晶种上生长。创造过饱和状态的一般方法是所谓的温度差法。温度差法是，以使溶液内的晶种的附近部分的温度比其他部分的溶液温度低的方式设置温度梯度。日本特开平3 - 183690号公报(专利文献I)以及日本特开2006 — 169073号公报(专利文献2)公开的单晶体的制造方法为，向安装有晶种的籽晶轴内导入气体，对晶种进行冷却。以上这些文献所公开的制造方法为，通过对晶种进行冷却来使溶液内的晶种附近部分的温度比其他溶液部分的温度低。然本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造装置，其是SiC单晶体的制造装置，该制造装置包括：坩埚，其用于容纳Si－C溶液；以及籽晶轴，其具有供SiC晶种安装的下端面，上述籽晶轴包括：内管，其在自身内侧形成第1流路；外管，其容纳上述内管，在该外管与上述内管之间形成第2流路；以及底部，其覆盖上述外管的下端开口且具有上述下端面，上述第1流路以及上述第2流路中的一者是供冷却气体向下方流动的导入流路，另一者是供上述冷却气体向上方流动的排出流路，从上述籽晶轴的轴向观察，上述SiC晶种的60%以上的区域与形成上述导入流路的管的内侧区域重叠。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2011.06.17 JP 2011-1351081.一种制造装置，其是SiC单晶体的制造装置， 该制造装置包括: 坩埚，其用于容纳Si — C溶液；以及 籽晶轴，其具有供SiC晶种安装的下端面， 上述籽晶轴包括: 内管，其在自身内侧形成第I流路； 外管，其容纳上述内管，在该外管与上述内管之间形成第2流路；以及 底部，其覆盖上述外管的下端开口且具有上述下端面， 上述第I流路以及上述第2流路中的一者是供冷却气体向下方流动的导入流路，另一者是供上述冷却气体向上方流动的排出流路， 从上述籽晶轴的轴向观察，上述SiC晶种的60%以上的区域与形成上述导入流路的管的内侧区域重叠。2.根据权利要求1所记载的制造装置，其中， 上述内管具有绝热性。3.根据权利要求1或2所记载的制造装置，其中， 上述内管的下端以与上述底部分离的方式配置。4.一种SiC...

【专利技术属性】
技术研发人员：楠一彦，龟井一人，矢代将齐，冈田信宏，大黑宽典，加渡干尚，坂元秀光，
申请(专利权)人：新日铁住金株式会社，丰田自动车株式会社，
类型：
国别省市：