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本发明的目的在于提供能够对安装于籽晶轴的晶种高效地进行冷却的SiC单晶体的制造装置。该制造装置具备：坩埚（14），其用于容纳Si－C溶液（16）；以及籽晶轴（30），具有供SiC晶种（36）安装的下端面（34）。籽晶轴包括：内管（48），其...
该专利属于新日铁住金株式会社;丰田自动车株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过新日铁住金株式会社;丰田自动车株式会社授权不得商用。

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