光学部件的制造方法以及光学部件技术

本发明专利技术所涉及的光学部件的制造方法是一种制造光透性光学部件（12）的方法，所包含的工序为：第1蚀刻工序，蚀刻板状构件的硅区域（11）并形成凹部；热氧化工序，使凹部的内侧面热氧化并形成氧化硅膜（14）；氮化膜形成工序，形成覆盖氧化硅膜（14）的氮化硅膜（16）。由此，就能够实现在相对于基板面成大倾斜（或者接近于垂直）的半透过反射面上可以均匀地形成氧化硅膜的光学部件的制作方法、以及由该方法进行制作的光学部件。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】光学部件的制造方法以及光学部件
[0001 ] 本专利技术是涉及光学部件的制造方法以及光学部件。
技术介绍
在专利文献I以及2中公开有运用MEMS技术从而在SOKSilicon On Insulator)基板上构成干涉光学系统的光模块。这些干涉光学系统具备光束分离器(beam splitter)、被安装于静电致动器(electrostatic actuator)的可动镜、固定镜,这些是通过将SOI基板的硅层以及绝缘层蚀刻成任意的形状来形成的。现有技术文献专利文献专利文献1:日本特开2008-102132号公报专利文献2:日本特开2010-170029号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的技术问题在构成干涉光学系统等的光学部件中，通过对硅基板或硅层实施蚀刻从而形成光透过面或半透过反射面(半反光镜)。然而，例如在波长I μ m附近的硅的折射率因为大约是3.5，所以由半透过反射面上的菲涅尔反射而产生的反射率成为约30%，远远达不到干涉光学系统中的理想值50%。另外，光透过面的透过率成为大约70%，即使是在光透过面上也会发生光的损失。特别是在干涉光学系统中，因为起因于娃的波长分散并本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光学部件的制造方法，其特征在于：包含：第1蚀刻工序，对包含硅区域的板状构件的所述硅区域实施蚀刻并形成凹部；热氧化工序，使所述凹部的内侧面热氧化并形成氧化硅膜；氮化膜形成工序，形成覆盖所述氧化硅膜的氮化硅膜。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2011.05.16 JP 2011-1096891.一种光学部件的制造方法，其特征在于: 包含: 第1蚀刻工序，对包含硅区域的板状构件的所述硅区域实施蚀刻并形成凹部； 热氧化工序，使所述凹部的内侧面热氧化并形成氧化硅膜； 氮化膜形成工序，形成覆盖所述氧化硅膜的氮化硅膜。2.如权利要求1所述的光学部件的制造方法，其特征在于: 在所述热氧化工序与所述氮化膜形成工序之间，进一步包含除去所述氧化硅膜的不要部分的不要部分除去工序。3.如权利要求2所述的光学部件的制造方法，其特征在于: 在所述第1蚀刻工序之前，进一步包含掩膜形成工序，其将具有沿着所述内侧面的一部分的图形的第1掩膜形成于所述硅区域上，并进一步依次将具有对应于所述凹部的平面形状的开口的第2以及第3掩膜形成于所述硅区域上以及所述第I掩膜上， 在所述第I蚀刻工序中，在用所述第3掩膜来相对于所述硅区域进行干式蚀刻之后，除去所述第3掩膜， 在所述热氧化工序中，在用所述第2掩膜来使所述凹部的所述内侧面热氧化之后，除去所述第2掩膜， 在所述热氧化工序之后且在所述不要部分除去工序之前，用所述第1掩膜来蚀刻所述硅区域。4.如权利要求2所述的光学部件的制造方法，其特征在于: 在所述第I蚀刻工序之前，进一步包...

【专利技术属性】
技术研发人员：藁科祯久，铃木智史，笠森浩平，
申请(专利权)人：浜松光子学株式会社，
类型：
国别省市：