光检测装置制造方法及图纸

在光检测装置中，开关(21、22、23)相互并联连接。各开关(21、22、23)与APD(11)连接。读出线(10)电连接开关(21)和信号处理部(9)。开关(21)以第二端子(24b)与读出线(10)连接，并且在导通状态下将击穿电压以上的电压提供到APD(11)的方式构成。开关(22)以第二端子(24b)不与读出线(10)连接，并且在导通状态下将击穿电压以上的电压提供到APD(11)的方式构成。开关(23)以第二端子(24b)不与读出线连接，并且在导通状态下将小于击穿电压的电压提供到APD(11)的方式构成。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本专利技术涉及一种光检测装置。

技术介绍

1、已知具备以盖格模式动作的雪崩光电二极管的光检测装置(例如专利文献1)。在盖革模式中，将击穿电压以上的电压提供到雪崩光电二极管。

2、现有技术文献

3、专利文献

4、专利文献1：日本特开2014-059301号公报

技术实现思路

1、专利技术所要解决的技术问题

2、雪崩光电二极管在击穿电压以上的电压被提供的状态下如果光入射则发出热。因此，在将击穿电压以上的电压提供到雪崩光电二极管的状态下，在检测光以外的光入射的情况下也发出热。过电压越大，雪崩光电二极管的发热量越大。过电压是提供到以盖格模式动作的雪崩光电二极管的反向偏置电压和击穿电压的差分。光检测装置中的雪崩光电二极管的数量越多，光检测装置中的发热量越大。在使用雪崩光电二极管的光检测装置中，有可能由雪崩光电二极管中的发热引起检测精度降低。也有可能由雪崩光电二极管中的发热引起缩短确保对于光检测装置的检测结果的可靠性的寿命。

3、为了抑制雪崩光电二极管的发热，考本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种光检测装置，其中，

2.根据权利要求1所述的光检测装置，其中，

3.根据权利要求2所述的光检测装置，其中，

4.根据权利要求2或3所述的光检测装置，其中，

5.根据权利要求2～4中任一项所述的光检测装置，其中，

6.根据权利要求1～5中任一项所述的光检测装置，其中，

7.根据权利要求1～6中任一项所述的光检测装置，其中，

8.根据权利要求7所述的光检测装置，其中，

9.根据权利要求7或8所述的光检测装置，其中，

10.根据权利要求7～9中任一项所述的光检测装置，其中，...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种光检测装置，其中，

2.根据权利要求1所述的光检测装置，其中，

3.根据权利要求2所述的光检测装置，其中，

4.根据权利要求2或3所述的光检测装置，其中，

5.根据权利要求2～4中任一项所述的光检测装置，其中，

6.根据权利要求1～5中任一项所述的光检测装置，其中，

7....

【专利技术属性】
技术研发人员：岩科进也，永野辉昌，冈田真昇，足立俊介，藤田卓也，
申请(专利权)人：浜松光子学株式会社，
类型：发明
国别省市：