【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种,尤指一种接触阻抗小的导电体、 电连接器及其成型方法。
技术介绍
目前业界普遍使用的一种电子装置,用于信号传输,所述电子装置包括一第一导 电兀件,一第二导电兀件与所述第一导电兀件对接,从而完成信号的传输。所述第一导电兀 件与所述第二导电元件以弹性抵接的方式形成信号传输路径,由于所述第一导电元件与所 述第二导电元件弹性抵接时接触面积较小,故接触阻抗较大,导电性能较弱,且所述电子装 置在使用过程中,一旦受到高频震荡或者撞击等情况,将会引起所述第一导电元件与所述 第二导电元件之间的接触松动,导致信号传输中断,影响电连接性能。因此,有必要设计一种改良的,以克服上述问题。
技术实现思路
针对
技术介绍
所面临的问题,本专利技术的目的在于提供一种接触阻抗小的导电体、 电连接器以及上述二者的成型方法。为实现上述目的,本专利技术采用以下技术手段:一方面,本专利技术提供一种电连接器,用以电性连接一第一电子元件,包括一绝缘本体, 位于所述第一电子元件下方;多个导电体,收容于所述绝缘本体,所述导电体具有一接触部 与所述第一电子元件接触;低熔点金属层,设于所述接触部上,所述低熔点金属层选自镓, 铟-镓,镓-锡,铟-镓-锡,铟-镓-锡-锌,其中任意一种;当所述导电体与所述第一 电子元件接触时,所述低熔点金属层协助所述导电体的所述接触部与所述第一电子元件形 成较大的接触面,降低接触阻抗。进一步,所述第一电子元件具有用以接触的一第一平面,所述导电体在所述接触 部上形成一第二平面,所述第一平面与所述第二平面通过所述低熔点金属层形成平面式的 接触,降低接触阻抗。 ...
【技术保护点】
一种电连接器,用以电性连接一第一电子元件?,其特征在于,包括:??一绝缘本体,位于所述第一电子元件下方;???多个导电体,收容于所述绝缘本体,所述导电体具有一接触部与所述第一电子元件接触;????低熔点金属层,设于所述接触部上,所述低熔点金属层选自镓?,铟?镓,?镓?锡,?铟?镓?锡,铟?镓?锡?锌,其中任意一种;????当所述导电体与所述第一电子元件接触时,所述低熔点金属层协助所述导电体的所述接触部与所述第一电子元件形成较大的接触面,降低接触阻抗。
【技术特征摘要】
1.一种电连接器,用以电性连接一第一电子元件,其特征在于,包括:一绝缘本体,位于所述第一电子元件下方;多个导电体,收容于所述绝缘本体,所述导电体具有一接触部与所述第一电子元件接触;低熔点金属层,设于所述接触部上,所述低熔点金属层选自镓,铟-镓,镓-锡, 钢-嫁-锡,钢-嫁-锡-锋,其中任意一种;当所述导电体与所述第一电子元件接触时,所述低熔点金属层协助所述导电体的所述接触部与所述第一电子元件形成较大的接触面,降低接触阻抗。2.如权利要求1所述的电连接器,其特征在于:所述第一电子元件具有用以接触的一第一平面,所述导电体在所述接触部上形成一第二平面,所述第一平面与所述第二平面通过所述低熔点金属层形成平面式的接触,降低接触阻抗。3.如权利要求1所述的电连接器,其特征在于:所述低熔点金属层为液态,液态的所述低熔点金属层呈粘稠状或胶状。4.如权利要求1所述的电连接器,其特征在于:在高于低熔点金属合金熔点的环境下, 将液态的低熔点金属合金液体以涂布或沾浸的方式设于所述导电体上形成所述低熔点金属层。5.如权利要求1所述的电连接器,其特征在于:所述低熔点金属层利用电镀的方式镀设于所述导电体上。6.如权利要求1所述的电连接器,其特征在于:所述导电体上设有一镍镀层,所述低熔点金属层位于所述镍镀层上。7.如权利要求1所述的电连接器,其特征在于:所述绝缘本体上表面开设有多个收容孔,所述导电体位于所述收容孔,一导电层设于所述收容孔内壁面,所述导电体与所述导电层接触,一液态导电液,位于所述收容孔内,所述液态导电液与所述导电体接触。8.如权利要求7所述的电·连接器,其特征在于:所述液态导电液为液态金属,所述液态导电液为镓或镓合金。9.一种导电体,用以电性接触一接触件,其特征在于,包括:所述导电体具有一接触部;所述接触件具有一触点部与所述接触部相抵接,一低熔点金属层仅位于所述接触部和所述触点部之间,所述低熔点金属层选自镓或含镓元素的合金;当所述接触部与所述触点部抵接时,所述接触部与所述触点部通过所述低熔点金属层形成较大的接触面,降低接触阻抗。10.如权利要求9所述的导电体,其特征在于:所述低熔点金属层选自镓,铟-镓, 嫁-锡,钢-嫁-锡,钢-嫁-锡-锋,其中任意一种。11.如权利要求10所述的导电体,其特征在于:所述低熔点金属层为液态,液态的所述低熔点金属层呈粘稠状或胶状。12.如权利要求10所述的导电体,其特征在于:所述低熔点金属层设于所述接触部上。13.如权利要求10所述的导电体,其特征在于:所述低熔点金属层设于所述触点部上。14.如权利要求10所述的导电体,其特征在于:所述低熔点金属层均设于所述接触部和所述触点部上。15.如权利要求9所述的导电体,其特征在于:所述导电体收容于一第一本体,所述接触件收容于一第二本体,当所述导电体与所述接触件对接时,所述第一本体与第二本体相配合。16.如权利要求9所述的导电体,其特征在于:一绝缘本体开设有多个收容孔,所述导电体和所述接触件均收容于所述收容孔,当所述导电体与所述触点部接触时,所述低熔点金属层形成所述接触部和所述触点部之间的导...
【专利技术属性】
技术研发人员:朱德祥,
申请(专利权)人:番禺得意精密电子工业有限公司,
类型:发明
国别省市:
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