作为硅槽刻蚀掩膜的光刻胶的光刻方法技术

本发明专利技术涉及一种作为硅槽刻蚀掩膜的光刻胶的光刻方法，包括下列步骤：对晶圆进行涂胶；对涂覆了光刻胶的所述晶圆进行软烘；对所述光刻胶进行曝光及显影；对曝光及显影后的光刻胶进行热坚膜，所述热坚膜步骤完成后所述晶圆上的光刻胶厚度为7.2~7.8微米；以热坚膜后的所述光刻胶为掩膜对硅槽进行刻蚀；所述光刻方法中不包含对光刻胶进行光学稳定处理的步骤。本发明专利技术通过形成大于7微米的厚胶，提高了硅的选择比。同时由于不包含对光刻胶进行光学稳定处理的步骤，可以使用干法去胶工艺，也就不会有去胶后甩干的步骤，避免了甩干导致的碎片问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体工艺，特别是涉及一种。
技术介绍
通常娃槽刻蚀多使用3;102,511^等介质作为硬掩膜(1^1(11]^810,可以解决正常的几μπ十几μ m的刻蚀问题。但是对于微机电系统(MEMS)麦克风产品，需要在薄片(380 μ m厚度)上刻蚀出300μπι深硅槽。若使用SiO2等介质作为硬掩膜，在干法去除掩膜的同时也会腐蚀硅，影响硅槽形貌。若采用湿法去除掩膜，则之后需要甩干，已经形成深硅槽的薄片各易碎片。基于此，专利技术人尝试使用在线4.8 μ m厚的光刻胶作为刻蚀的阻挡层。但是在使用中发现该工艺硅的选择比较小，会导致部分被光刻胶覆盖的硅也被腐蚀，形成粗糙的表面。
技术实现思路
基于此，有必要针对采用光刻胶作为掩膜进行深硅槽刻蚀时会导致部分被光刻胶覆盖的硅也被腐蚀的问题，提供一种。一种，包括下列步骤:对晶圆进行涂胶；对涂覆了光刻胶的所述晶圆进行软烘；对所述光刻胶进行曝光及显影；对曝光及显影后的光刻胶进行热坚膜，所述热坚膜步骤完成后所述晶圆上的光刻胶厚度为7.2~?.8微米；以热坚膜后的所述光刻胶为掩 膜对娃槽进行刻蚀；所述光刻方法中不包含对光刻胶进行光学稳定处本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种作为硅槽刻蚀掩膜的光刻胶的光刻方法，包括下列步骤：对晶圆进行涂胶；对涂覆了光刻胶的所述晶圆进行软烘；对所述光刻胶进行曝光及显影；对曝光及显影后的光刻胶进行热坚膜，所述热坚膜步骤完成后所述晶圆上的光刻胶厚度为7.2~7.8微米；以热坚膜后的所述光刻胶为掩膜对硅槽进行刻蚀；所述光刻方法中不包含对光刻胶进行光学稳定处理的步骤。

【技术特征摘要】
1.一种作为娃槽刻蚀掩膜的光刻胶的光刻方法,包括下列步骤: 对晶圆进行涂胶； 对涂覆了光刻胶的所述晶圆进行软烘； 对所述光刻胶进行曝光及显影； 对曝光及显影后的光刻胶进行热坚膜，所述热坚膜步骤完成后所述晶圆上的光刻胶厚度为7.2?7.8微米； 以热坚膜后的所述光刻胶为掩膜对硅槽进行刻蚀；所述光刻方法中不包含对光刻胶进行光学稳定处理的步骤。2.根据权利要求1所述的作为娃槽刻蚀掩膜的光刻胶的光刻方法，其特征在于，所述对晶圆进行涂胶的步骤包括: 对所述晶圆进行第一次涂胶； 对所述晶圆进行第二次涂胶；所述第一次涂胶和第二次涂胶之间不进行软烘。3.根据权利要求2所述的作为娃槽刻蚀掩膜的光刻胶的光刻方法,其特征在于,所述光刻胶为AZ6130。4.根据权利要求2或3所述的作为...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐春云，
申请(专利权)人：无锡华润上华半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：