【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本文公开了不含氧硅基薄膜以及形成该薄膜的方法。所述不含氧硅基薄膜包含大于50原子％的硅。一个方面，所述硅基薄膜具有组成SixCyNz，其中如通过XPS测量的，x为约51-100，y为0-49，以及z为0-50原子重量(wt)百分比(％)。在一个实施方式中，所述不含氧硅基薄膜采用具有至少两个SiH3基团，其中在硅原子之间具有至少一个C2-3键的至少一种有机硅前体例如1，4-二硅杂丁烷来沉积。【专利说明】相关申请的交叉引用本专利申请要求2012年7月30日提交的在先美国临时专利申请第61/677，267号的权益。
本文公开的是不含氧或基本不含氧的含硅或硅基薄膜，以及形成该薄膜的方法。本文描述的硅基薄膜包括但不限于，用于各种电子应用的非化学计量的碳化硅、碳氮化硅、氮化娃或无定形娃薄膜。专利技术背景除硅以外的其他元素可以存在于不含氧的硅基薄膜中。这些其他元素有时可以根据薄膜的最终应用或所需的最终性质，而有意地经由沉积方法添加到组合的混合物中。例如，可将元素氮(N)添加到硅基薄膜中以形成碳氮化物或氮化硅薄膜，其可以提供特定介电性能例如较低的泄漏电流。然而...
【技术保护点】
在衬底的至少一个表面上形成非氧硅基薄膜的方法，所述非氧硅基薄膜优选选自碳化硅薄膜、氮化硅薄膜和碳氮化硅薄膜，所述方法包括：在反应室中提供所述衬底的至少一个表面；在反应室中提供至少一种有机硅前体，其具有至少两个SiH3基团，其中在硅原子之间具有至少一个C2?3键；和通过沉积工艺在所述至少一个表面上形成所述非氧硅基薄膜，所述沉积工艺选自：化学气相沉积(CVD)、低压化学气相沉积(LPCVD)、等离子体增强化学气相沉积(PECVD)、循环化学气相沉积(CCVD)、等离子体增强循环化学气相沉积(PECCVD)、原子层沉积(ALD)和等离子体增强原子层沉积(PEALD)，其中所述非氧...
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：H·R·鲍恩，李建恒，M·L·奥尼尔，萧满超，A·D·约翰逊，雷新建，
申请(专利权)人：气体产品与化学公司，
类型：发明
国别省市：
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