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本文公开了不含氧硅基薄膜以及形成该薄膜的方法。所述不含氧硅基薄膜包含大于50原子％的硅。一个方面，所述硅基薄膜具有组成SixCyNz，其中如通过XPS测量的，x为约51-100，y为0-49，以及z为0-50原子重量(wt)百分比(％)。在...
该专利属于气体产品与化学公司所有，仅供学习研究参考，未经过气体产品与化学公司授权不得商用。

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