光电混载基板制造技术

本发明专利技术提供一种光电混载基板，其光学元件的安装性优异且挠性也优异。该光电混载基板包括：电路基板（E），其在绝缘层（1）的表面上形成有光学元件安装用焊盘（3）；以及光波导路（W），该光波导路（W）以其第1包层（6）与该电路基板（E）的上述绝缘层（1）的背面相接触的状态形成于上述绝缘层（1）的背面，其中，在上述绝缘层（1）与上述第1包层（6）之间的、与上述光学元件安装用焊盘（3）相对应的部分设有金属层（M），该金属层（M）的屈服应力或0.2%屈服强度为170MPa以上且厚度设定在10μm～25μm的范围内。

Photoelectric mixed substrate

The invention provides a photoelectric mixed loading substrate, wherein the optical element has excellent mounting performance and excellent flexibility. The photoelectric hybrid substrate includes: a circuit board (E), the insulating layer (1) having pads for mounting optical elements formed on a surface (3); and an optical waveguide (W), the optical waveguide (W) with its first cladding layer (6) and the circuit substrate (E) the insulating layer (1) on the back of the contact state is formed on the insulating layer (1) on the back, which, in the insulating layer (1) and the first packet layer (6), and between the optical element mounting pad (3) corresponding to the part is provided with a metal layer (M), the metal layer (M) of the yield stress and yield strength of 0.2% 170MPa above and set the thickness in the range of 10 m ~ 25 m in.

【技术实现步骤摘要】
光电混载基板
本专利技术涉及一种将光波导路和电路基板层叠而成的光电混载基板。
技术介绍
在最近的电子设备等中，随着传输信息量的增加，除了电布线以外，还采用光布线。作为这样的电子设备，例如，如图6所示，提出有一种光电混载基板，该光电混载基板是通过在挠性基板51的表面上形成电布线52而构成的挠性电路基板E0的上述挠性基板51的背面（与电布线52的形成面相反的那一侧的面）层叠由环氧树脂等构成的光波导路（光布线）W0（下包层56、芯57以及上包层58）而构成的光电混载基板（例如，参照专利文献1）。然而，由于挠性电路基板E0和光波导路W0都较薄且具有挠性，因此，在将光学元件安装于上述光电混载基板的挠性电路基板E0的情况下，在其安装时的载荷的作用下，上述挠性电路基板E0和光波导路W0均会变形。因此，不易安装，且安装时的操作性较差。并且，由于上述变形的原因，有可能导致光传播损失变大。另一方面，作为光电混载基板，如图7所示，提出有一种在上述挠性电路基板E0与光波导路W0之间的整个面上设有不锈钢层M0的光电混载基板（例如，参照专利文献2）。在该光电混载基板中，由于上述不锈钢层M0作为加强材料发挥作用而对安装光学元件时的载荷导致的变形进行抑制，因此，光学元件的安装性优异，且上述变形导致的光传播损失也较小。专利文献1：日本特开2011－48150号公报专利文献2：日本特开2009－265342号公报另外，最近，要求上述电子设备等的小形化，与此相伴，上述光电混载基板也要求在小空间内使用。因此，需要使光电混载基板具有挠性而将其收纳在小空间内。然而，在上述那样在整个面上设有不锈钢层M0的光电混载基板（参照图7）中，该不锈钢层M0会影响挠性化。在该点上存在改进的余地。
技术实现思路
本专利技术是鉴于这样的情况而做成的，其目的在于提供一种光学元件的安装性优异且挠性也优异的光电混载基板。为了达到上述目的，本专利技术的光电混载基板采用如下结构：光电混载基板包括：电路基板，其在绝缘层的表面上形成有光学元件安装用焊盘；以及光波导路，该光波导路以其包层与该电路基板的上述绝缘层的背面相接触的状态形成于上述绝缘层的背面，其中，在上述绝缘层与上述包层之间的、与上述光学元件安装用焊盘相对应的部分设有金属层，该金属层的屈服应力或0.2%屈服强度为170MPa以上且厚度设定在10μm～25μm的范围内。本专利技术的光电混载基板的金属层没有设置在整个面上，而是设置于与光学元件安装用焊盘相对应的部分，因此挠性优异。而且，由于该金属层的屈服应力或0.2%屈服强度为170MPa以上且厚度设定在10μm～25μm的范围内，因此，本专利技术的光电混载基板能够谋求薄形化并抑制在将光学元件安装在上述光学元件安装用焊盘上时的、电路基板和光波导路的变形，从而光学元件的安装性优异。另外，通过抑制上述变形，能够减小该变形所导致的光传播损失。尤其是，在上述金属层的形成材料为不锈钢的情况下，相对于热的耐伸缩性优异，因此能够形成为质量可靠性较高的光电混载基板。附图说明图1示意性表示本专利技术的光电混载基板的第1实施方式，图1的（a）是光电混载基板的纵剖视图，图1的（b）是光电混载基板的俯视图。图2的（a）～图2的（e）是示意性表示上述光电混载基板的制造方法中的电路基板的制作工序和金属层的制作工序的说明图。图3的（a）～图3的（d）是示意性表示上述光电混载基板的制造方法中的光波导路的制作工序的说明图。图4是示意性表示本专利技术的光电混载基板的第2实施方式的纵剖视图。图5是示意性表示本专利技术的光电混载基板的第3实施方式的俯视图。图6是示意性表示以往的光电混载基板的纵剖视图。图7是示意性表示另一以往的光电混载基板的纵剖视图。具体实施方式接着，根据附图详细说明本专利技术的实施方式。图1的（a）是示意性表示本专利技术的光电混载基板的第1实施方式的纵剖视图，图1的（b）是光电混载基板的俯视图。此外，在图1的（b）中，为了使上述光电混载基板的光学元件安装用焊盘3与金属层M的配置清楚，仅图示了光学元件安装用焊盘3、金属层M以及芯7等的一部分结构。该实施方式的光电混载基板包括：电路基板E，其在具有透光性的绝缘层1的表面上具有电布线2，该电布线2形成有光学元件安装用焊盘3；以及光波导路W，该光波导路W以其第1包层（下包层）6与该电路基板E的上述绝缘层1的背面的相接触的状态形成于上述绝缘层1的背面，该光电混载基板整体上形成为带状。并且，在上述绝缘层1与上述第1包层6之间的、与上述光学元件安装用焊盘3相对应的部分设有金属层M。该金属层M的屈服应力或0.2%屈服强度为170MPa以上且厚度设定在10μm～25μm的范围内。此外，在该实施方式中，在上述带状的光电混载基板的长边方向的各端部，以沿着其长边方向排列的状态形成有两个光学元件安装用焊盘3，与此相对应地，金属层M也以沿着长边方向排列的状态设有两个。其中，金属层M的靠端部侧的部分向与光电混载基板的挠性没有太大关系的端部方向延伸设置，该延伸设置部分与上述电布线2的接地用电极部2b相接触。另外，上述两个金属层M之间的部分成为位于被安装在上述光学元件安装用焊盘3上的光学元件与芯7的光反射面（45°倾斜面）7a之间的光路部5。上述光电混载基板没有在整个面上设置金属层M，而是在与光学元件安装用焊盘3相对应的部分等限定性地设有金属层M，因此，上述光电混载基在没有设置上述金属层M的大部分处挠性优异且能够谋求轻量化。而且，由于上述金属层M的屈服应力或0.2%屈服强度为170MPa以上且厚度设定在10μm～25μm的范围内，因此上述光电混载基板能够谋求薄形化并抑制在将光学元件安装在上述光学元件安装用焊盘3上时的、电路基板E和光波导路W的变形，从而光学元件的安装性优异。另外，上述金属层M还具有阻断使光传播效率变差的水分自第1包层6的两端侧面（图1的（a）、（b）的左右两端面）向光路部5中渗透的作用。即，上述光电混载基板能够在实现挠性化、轻量化、薄形化的同时防止因水分向光路部5中渗透而使光传播效率变差的情况。进一步详细说明，如上所述，上述电路基板E包括具有透光性的绝缘层1和形成在绝缘层1的表面上的电布线2。该电布线2包括：光学元件安装部2a，其形成有光学元件安装用焊盘3；以及接地用电极部2b，其贯穿上述绝缘层1而与背面的金属层M相接触。并且，上述光学元件安装用焊盘3暴露，而上述电布线2由覆盖层4覆盖而被绝缘地保护起来。如上所述，在光电混载基板的各端部，上述金属层M设于绝缘层1与第1包层6之间的、分别与两个光学元件安装用焊盘3相对应的部分。并且，从谋求光电混载基板的薄形化并抑制在将光学元件安装于上述光学元件安装用焊盘3上时的、电路基板E和光波导路W的变形的观点考虑，上述金属层M的屈服应力或0.2%屈服强度为170MPa以上且厚度设定在10μm～25μm的范围内。若该金属层M的厚度小于10μm，虽然能够进一步谋求薄形化，但不能充分地对安装光学元件时的上述变形进行抑制，会导致安装强度的降低、光学元件的位置精度的降低。相反，若金属层M的厚度大于25μm，虽然能够充分抑制上述变形，但由于第1包层6以覆盖上述金属层M的状态形成，因此该第1包层6变厚，从而光电混载基板的挠性变得不充分。上述光波导路W包括：上述第1包层（下本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光电混载基板，其包括：电路基板，其在绝缘层的表面上形成有光学元件安装用焊盘；以及光波导路，该光波导路以其包层与该电路基板的上述绝缘层的背面相接触的状态形成于上述绝缘层的背面，该光电混载基板的特征在于，在上述绝缘层与上述包层之间的、与上述光学元件安装用焊盘相对应的部分设有金属层，该金属层的屈服应力或0.2%屈服强度为170MPa以上且厚度设定在10μm～25μm的范围内。

【技术特征摘要】
2012.07.13 JP 2012-1578281.一种光电混载基板，其包括：电路基板，其在绝缘层的表面上形成有光学元件安装用焊盘；以及光波导路，该光波导路以其包层与该电路基板的上述绝缘层的背面相接触的状态形成于上述绝缘层的背面，该光电混...

【专利技术属性】
技术研发人员：花园博行，辻田雄一，
申请(专利权)人：日东电工株式会社，
类型：发明
国别省市：