【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种互补型金属氧化物半导体管的形成方法,其特征在于,包括:提供半导体衬底,所述半导体衬底包括第一区域和第二区域,所述半导体衬底表面具有绝缘层,所述第一区域表面具有贯穿所述绝缘层厚度的第一开口,所述第一开口底部的半导体衬底表面具有第一高K介质层,所述第一高K介质层表面具有填充满所述第一开口的伪栅极层,所述第二区域表面具有贯穿所述绝缘层厚度的第二开口,所述第二开口底部的半导体衬底表面具有第二高K介质层;在所述第二开口侧壁表面以及第二高K介质层表面形成第二功函数层;在所述第二功函数层表面形成填充满所述第二开口的第二栅电极层,所述第二栅电极层的材料为铜;在形成第二栅电极层后,去除第一开口内的伪栅极层;在去除第一开口内的伪栅极层后,在所述第一开口侧壁表面以及第一高K介质层表面形成第一功函数层;在所述第一功函数层表面形成第一阻挡层;在所述第一阻挡层表面形成填充满所述第一开口的第一栅电极层,所述第一栅电极层的材料为铝。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:平延磊,周鸣,王小娜,
申请(专利权)人:中芯国际集成电路制造上海有限公司,
类型:发明
国别省市:
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。