一种对位精度检测方法及系统技术方案

本发明专利技术提供了一种对位精度检测方法，包括如下步骤：第1步，利用试验板上的同一组对位标记来进行对准；第2步，利用所述对位标记进行第一次对准曝光，曝出第一组标尺；再次利用所述对位标记进行第二次对准曝光，曝出第二组标尺；第3步，所述试验板显影后观察两组标尺完全对齐的刻度线，获取X,Y两个方向的偏移方向与偏移量。本发明专利技术的有益效果为，本发明专利技术可对高对位精度镭射直接成像设备的重复对位精度与层间对位精度进行检测，具备自身影响转移的特征且精度高最小误差可达到1um，另外，利用本发明专利技术无需进行量测，直接观察便可以很精确的知道检测精度，避免了因量测设备的精度及量测误差的存在。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术提供了一种对位精度检测方法，包括如下步骤：第1步，利用试验板上的同一组对位标记来进行对准；第2步，利用所述对位标记进行第一次对准曝光，曝出第一组标尺；再次利用所述对位标记进行第二次对准曝光，曝出第二组标尺；第3步，所述试验板显影后观察两组标尺完全对齐的刻度线，获取X,Y两个方向的偏移方向与偏移量。本专利技术的有益效果为，本专利技术可对高对位精度镭射直接成像设备的重复对位精度与层间对位精度进行检测，具备自身影响转移的特征且精度高最小误差可达到1um，另外，利用本专利技术无需进行量测，直接观察便可以很精确的知道检测精度，避免了因量测设备的精度及量测误差的存在。【专利说明】一种对位精度检测方法及系统
本专利技术属于印刷线路板设备
，尤其涉及一种对位精度检测方法及系统。
技术介绍
光刻技术是用于在衬底表面上印刷具有一定特征的构图的技术，上述的衬底可用做制造半导体器件、多种集成电路、平面显示器(例如液晶显示器)、电路板、生物芯片、微机械电子芯片、光电子线路芯片等的基片。经常使用的基片为表面涂有光敏感介质的半导体晶片或玻璃基片。曝光机的对位精度是PCB厂家非常关心的问题，对位精度决定了此设备是否具有制作高精密度印刷线路板的能力，检测对位精度的方法也有很多，但大部分都是采用显微镜进行观察量测，这样无形中增加了量测设备的精度及量测误差的存在。对于重复对位与层间对位精度要求很高的镭射直接成像设备来说，迫切需求一种对位检测精度高、误差小、操作方便的检测方法。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种对位精度检测方法及系统方法及系统，以解决现有技术中对位检测精度不高、误差较大、操作不便的问题。为了达到本专利技术的目的，本专利技术提供了 一种对位精度检测方法，包括如下步骤:第I步，利用试验板上的同一组对位标记来进行对准；第2步，利用所述对位标记进行第一次对准曝光，曝出第一组标尺；再次利用所述对位标记进行第二次对准曝光，曝出第二组标尺；第3步，所述试验板显影后观察两组标尺完全对齐的刻度线，获取X，Y两个方向的偏移方向与偏移量。优选地，所述试验板为PCB或其它对位标记载体。优选地，所述第一次对准曝光和所述第二次对准曝光包括对试验板进行重复对位曝光和层间对位曝光。优选地，所述两组标尺的原点刻度相邻靠齐不重合，所述第一组标尺的间距需要比所述第二组标尺的间距大Xum，Xum则为此次检测的最小精度，每组标尺需要设计X与Y方向的标尺用来监控两个方向的偏移量。相应地，本专利技术提供了一种对位精度检测系统，包括对准单元、曝光单元、偏移观察单元，所述对准单元用于，利用试验板上的同一组对位标记来进行对准；所述曝光单元用于，利用所述对位标记进行第一次对准曝光，曝出第一组标尺；再次利用所述对位标记进行第二次对准曝光，曝出第二组标尺；所述偏移观察单元用于，所述试验板显影后观察两组标尺完全对齐的刻度线，获取X，Y两个方向的偏移方向与偏移量。优选地，所述试验板为PCB或其它对位标记载体。优选地，所述第一次对准曝光和所述第二次对准曝光包括对试验板进行重复对位曝光和层间对位曝光。优选地，所述两组标尺的原点刻度相邻靠齐不重合，所述第一组标尺的间距需要比所述第二组标尺的间距大Xum，Xum则为此次检测的最小精度，每组标尺需要设计X与Y方向的标尺用来监控两个方向的偏移量。本专利技术的有益效果为，本专利技术可对高对位精度镭射直接成像设备的重复对位精度与层间对位精度进行检测，具备自身影响转移的特征且精度高最小误差可达到lum，另外，利用本专利技术无需进行量测，直接观察便可以很精确的知道检测精度，避免了因量测设备的精度及量测误差的存在。【专利附图】【附图说明】图1为本专利技术的方法流程图；图2为本专利技术的系统结构图；图3为本专利技术提供的第一组标尺的结构示意图；图4为本专利技术提供的第二组标尺的结构示意图；图5为本专利技术提供的第一组标尺与第二组标尺比对的结构示意图；图6为本专利技术提供的带有对位标记的试验板结构示意图。【具体实施方式】为了使本专利技术的目的、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合实施例，对本专利技术进行进一步详细说明。应当理解为此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本专利技术，并不用于限制本专利技术的保护范围。如图1所示，本专利技术提供了一种对位精度检测方法，包括如下步骤:Sll，利用试验板上的同一组对位标记61来进行对准；如图6所示，述同一组对位标记可以是圆孔，方孔，槽孔，圆点，圆环，方块，梅花等特征图案。S12，利用所述对位标记进行第一次对准曝光，曝出第一组标尺；再次利用所述对位标记进行第二次对准曝光，曝出第二组标尺；如图3、图4所示，第一组标尺31比第二组标尺41的间距大且两组标尺的原点在同一位置，只有X轴，Y轴方向的偏移，没有任何旋转，两组标尺的位置相邻原点靠齐，首先利用此组对位标记进行第一次对准曝光，曝出第一组标尺，然后取下PCB或MASK载体取下后或任意移动后放置第一次曝光的位置，再次利用此组对位标记进行对准曝光曝出第二组标尺，观察两组标尺的不同之处。所述两组标尺的原点刻度相邻靠齐不重合，所述第一组标尺的间距需要比所述第二组标尺的间距大Xum，Xum则为此次检测的最小精度，每组标尺需要设计X与Y方向的标尺用来监控两个方向的偏移量。两组标尺的长度可以是任意长度，两组标尺的间距可以根据需要测试的精度进行调整且第一组标尺的间距需比第二组标尺的间距大Xum，X的范围在1-lOum，X轴与Y轴的图形设计完全一致，只是旋转了个90度。两组标尺图形需要在不同图层进行设计，属于两张图形，且两张图不能够有重叠部分，原点刻度相邻靠齐。两组曝光尺的刻度宽度及间距应大于等于镭射直写曝光机的最小解析能力。镭射直写曝光机的最小解析能力是指此设备能够制作出来的线宽的最小能力。S13，所述试验板显影后观察两组标尺完全对齐的刻度线，获取X，Y两个方向的偏移方向与偏移量。如图5所示，曝光完成后观察两标尺哪两条刻度重合即可知道偏离方向及偏移离。优选地，所述第一次对准曝光和所述第二次对准曝光包括对试验板进行重复对位曝光和层间对位曝光。重复对位精度检测时，利用对位标记在试验板上曝第一组标尺，再利用同一组对位标记在试验板上曝第二组对位标尺，显影后使用显微镜观察两组标尺完全对齐的刻度线便可以知道X，Y两个方向的偏移方向与偏移量；层间对位精度检测时，需要利用到一张有标记的透明感光菲林，利用对位标记在感光菲林上曝第一组标尺，再利用同一组对位标记在感光菲林的另一面上曝第二组标尺显影后观察两组标尺完全对齐的刻度线便可以知道X，Y两个方向的偏移方向与偏移量。如图2所示，相应地，本专利技术提供了一种对位精度检测系统，包括对准单元21、曝光单元22、偏移观察单元23，所述对准单元用于，利用试验板上的同一组对位标记来进行对准；所述曝光单元用于，利用所述对位标记进行第一次对准曝光，曝出第一组标尺；再次利用所述对位标记进行第二次对准曝光，曝出第二组标尺；所述偏移观察单元用于，所述试验板显影后观察两组标尺完全对齐的刻度线，获取X，Y两个方向的偏移方向与偏移量。以上所述仅是本专利技术的优选实施方式，应当指出，对于本
的普通技术人员来说，在不脱离本专利技术原理的前提下，还可以做出若干和润饰，这些改进和润饰也应视为本专利技术的保护范围。【权利要求】1.一种对本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种对位精度检测方法，其特征在于，包括如下步骤：第1步，利用试验板上的同一组对位标记来进行对准；第2步，利用所述对位标记进行第一次对准曝光，曝出第一组标尺；再次利用所述对位标记进行第二次对准曝光，曝出第二组标尺；第3步，所述试验板显影后观察两组标尺完全对齐的刻度线，获取X,Y两个方向的偏移方向与偏移量。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王艳升，李显杰，
申请(专利权)人：天津芯硕精密机械有限公司，
类型：发明
国别省市：