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一种In-Sb-Te三元相变纳米管及其阵列的制备方法技术

技术编号:9592690 阅读:96 留言:0更新日期:2014-01-22 23:19
本发明专利技术公开了一种In-Sb-Te三元相变纳米管及其阵列的制备方法,配制pH=2.2缓冲溶液,加入氯化锑、氯化铟和亚碲酸钾;将模板的一面导电作为工作电极,同时在电解池中设置参比电极和对电极,并将电解液转移至电解池中,然后将电解池密封通入惰性气体,以除去电解液中的溶解氧;进行差分脉冲电沉积。本发明专利技术的In-Sb-Te纳米管是采用差分脉冲电沉积方法和模板法相结合的方法,具有产率大、工艺简单、合成温度低、尺寸均匀、重复性高等优点。由本方法得到的In-Sb-Te纳米管直径为纳米级,长度为几微米到几十微米且尺寸均匀,光滑,并具有阵列结构,属于相变性质的良好材料。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种In?Sb?Te三元相变纳米管,其特征在于,所述In、Sb、Te三种元素沿纳米管长度和径向均匀分布,按照下述步骤进行制备:步骤1,制备电解液:配制pH=2.2缓冲溶液,并向所述缓冲溶液中加入氯化锑、氯化铟和亚碲酸钾,完全溶解均匀;步骤2,准备电解池:将模板的一面导电作为工作电极,同时在电解池中设置参比电极和对电极,并将步骤1制备的电解液转移至电解池中,然后将电解池密封通入惰性气体,以除去电解液中的溶解氧;步骤3,进行电化学沉积:选择进行差分脉冲电沉积,一个脉冲循环参数为先在?1.6V下沉积50ms,然后在?1.4V下沉积50ms,再选择在?1.3V下沉积50ms,最后在?0.4V下沉积50ms,依照脉冲循环参数连续进行沉积。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:张兵许蕊吴睿黄义史艳梅
申请(专利权)人:天津大学
类型:发明
国别省市:

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