【技术实现步骤摘要】
半导体器件和使用该半导体器件的系统(相关申请的交叉引用)2012年6月18日提交的日本专利申请2012-136591的公开内容，包括说明书、附图和摘要，通过引用而将其全部结合到本申请中。
本专利技术涉及半导体器件和可以应用于例如功率半导体器件和使用该半导体器件的系统的技术。
技术介绍
在保护地球环境这样的大的社会运动下，降低对环境造成的负担的电子工业的重要性增加。尤其是，功率半导体器件(以下也称为功率器件)在火车、混合动力汽车、电动车的变换器装置、空调的变换器装置、个人计算机等的民用机器的电源系统等中使用。功率器件的性能改善对于基础设施、民用设备的电力效率改善贡献很大。电力效率改善就是指能够减少系统工作所需的能源，换言之，可以减少二氧化碳的排放，即，减轻对环境造成的负担。因此，各公司都在积极地开展致力于改善功率器件的性能的研究和开发。功率器件，与通常的半导体集成电路(以下也称为器件)同样地，经常用硅作为材料而形成。在使用以硅(以下也称为Si)为材料的功率器件的电力转换装置(如变换器装置)中，为了降低该变换器装置等中产生的能源损失，积极开发了优化二极管、开关...
【技术保护点】
一种半导体器件，其特征在于，包括：一对端子；常断型的硅晶体管，设置有栅极、源极和漏极；和常通型的化合物晶体管，设置有栅极、源极和漏极，其源极到漏极路径经由上述硅晶体管的源极到漏极路径连接在上述一对端子之间，上述硅晶体管和上述化合物晶体管被一个输入信号驱动，以使得具有两个晶体管都处于截止状态的期间。
【技术特征摘要】
2012.06.18 JP 2012-1365911.一种半导体器件，其特征在于，包括: 一对端子； 常断型的硅晶体管，设置有栅极、源极和漏极；和 常通型的化合物晶体管，设置有栅极、源极和漏极，其源极到漏极路径经由上述硅晶体管的源极到漏极路径连接在上述一对端子之间， 上述硅晶体管和上述化合物晶体管被一个输入信号驱动，以使得具有两个晶体管都处于截止状态的期间。2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于: 上述硅晶体管是MOSFET，上述化合物晶体管是化合物结FET。3.如权利要求2所述的半导体器件，其特征在于: 上述化合物结FET是SiCJFET。4.如权利要求3所述的半导体器件，其特征在于: 在上述一对端子设置为导通时，上述半导体器件被驱动成:在把上述化合物晶体管设置为导通状态之前，把上述硅晶体管设置为导通状态。5.如权利要求3所述的半导体器件，其特征在于: 在上述一对端子设置为非导通时，上述半导体器件被驱动成:在把上述硅晶体管设置为截止状态之前，把上述化合物晶体管设置为截止状态。6.如权利要求4所述的半导体器件，其特征在于: 上述化合物晶体管和上述硅晶体管被密封在一个封装中； 上述硅晶体管的栅极连接到从上述封装突出的第I引线； 上述硅晶体管的源极连接到从上述封装突出的第2引线； 上述化合物晶体管的栅极连接到从上述封装突出的第3引线； 上述化合物晶体管的漏极连接到从上述封装突出的第4引线。7.一种系统，其特征在于，包括: 负荷装置；以及 第1和第2半导体器件，分别与上述负...
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