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三氧化钨/聚苯胺核壳纳米线阵列变色薄膜及其制备方法技术

技术编号:9486006 阅读:178 留言:0更新日期:2013-12-25 20:22
本发明专利技术提供了一种三氧化钨/聚苯胺核壳纳米线阵列变色薄膜及其制备方法,其方法包括:将白钨酸溶于过氧化氢水溶液,配制成过氧化钨酸溶液;将过氧化钨酸溶液涂在清洁干净的导电基底的导电面上;将钨盐溶于醇中,形成前躯体溶液,将导电基底固定于反应釜中,将前躯体溶液加入反应釜中,在150~250℃反应8~16h,取出后再在300~450℃热处理1~3h,得到三氧化钨纳米线阵列;将苯胺与稀硫酸混合,形成用于制备聚苯胺的电解液,电聚合聚苯胺即得。该制备工艺控制方便,制造成本较低,易于实现工业化。该薄膜具有光谱调节范围大、变色种类丰富、着色效率高、响应速度快、循环寿命长等优点。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种三氧化钨/聚苯胺核壳纳米线阵列变色薄膜的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:1)将白钨酸溶于过氧化氢水溶液,加水配制成含钨浓度为1~5mol/L的过氧化钨酸溶液;2)将步骤1)中的过氧化钨酸溶液涂在清洁干净的导电基底的导电面上,得到覆盖有晶种层的导电基底;3)将钨盐溶于醇中,形成前躯体溶液,将步骤2)中的覆盖有晶种层的导电基底固定于反应釜中,将前躯体溶液加入反应釜中,在150℃~250℃反应8h~16h,取出后再在300℃~450℃热处理1h~3h,得到三氧化钨纳米线阵列;4)将苯胺与稀硫酸混合,形成用于制备聚苯胺的电解液;5)将步骤3)中的氧化钨纳米线阵列为工作电极、Ag/AgCl电极为参比电极以及铂片电极为对电极,采用步骤4)中用于制备聚苯胺的电解液,在电化学工作站上用循环伏安的方法电聚合聚苯胺,得到三氧化钨/聚苯胺核壳纳米线阵列变色薄膜。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:王秀丽蔡国发周鼎谷长栋涂江平
申请(专利权)人:浙江大学
类型:发明
国别省市:

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