一种三氧化钨纳米阵列电致变色薄膜及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种三氧化钨纳米阵列电致变色薄膜及其制备方法，包括：将白钨酸溶于过氧化氢水溶液，加水配制成含钨浓度为1～5mol/L的过氧化钨酸溶液；将过氧化钨酸溶液涂在清洁干净的导电基底的导电面上，得到覆盖有晶种层的导电基底；将钨盐溶于醇中，形成前躯体溶液，将覆盖有晶种层的导电基底固定于反应釜中，将前躯体溶液加入反应釜中，在150～250℃反应8～16h，取出后再在350～450℃热处理1～3h。该制备方法制备的薄膜具有纳米团簇、纳米树或纳米线阵列形貌，电连接性好，薄膜具有光谱调节范围大、响应速度快和循环寿命长的优点，同时，制备工艺控制方便，制造成本较低，可以大面积生产，易于实现工业化。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种三氧化钨纳米阵列电致变色薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：1）将白钨酸溶于过氧化氢水溶液，加水配制成含钨浓度为1～5mol/L的过氧化钨酸溶液；2）将步骤1）中的过氧化钨酸溶液涂在清洁干净的导电基底的导电面上，得到覆盖有晶种层的导电基底；3）将钨盐溶于醇中，形成前躯体溶液，将步骤2）中的覆盖有晶种层的导电基底固定于反应釜中，将前躯体溶液加入反应釜中，在150℃～250℃反应8h～16h，取出后再在350℃～450℃热处理1h～3h，得到三氧化钨纳米阵列电致变色薄膜。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王秀丽，蔡国发，周鼎，谷长栋，涂江平，
申请(专利权)人：浙江大学，
类型：发明
国别省市：