发光二极管模组及其制造方法技术

技术编号:9464081 阅读:85 留言:0更新日期:2013-12-19 01:54
一种发光二极管模组,包括基板及设置在基板上的多个发光二极管晶粒,所述发光二极管晶粒的底面贴设在基板上。所述每一发光二极管晶粒自底面延伸的侧壁均为粗糙化表面,用以提高发光二极管晶粒侧壁的出光效率。本发明专利技术还提供一种发光二极管模组制造方法。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】一种发光二极管模组,包括基板及设置在基板上的多个发光二极管晶粒,所述发光二极管晶粒的底面贴设在基板上。所述每一发光二极管晶粒自底面延伸的侧壁均为粗糙化表面,用以提高发光二极管晶粒侧壁的出光效率。本专利技术还提供一种发光二极管模组制造方法。【专利说明】
本专利技术涉及一种。
技术介绍
发光二极管是一种节能、环保、长寿命的固体光源,因此近十几年来对发光二极管技术的研究一直非常活跃,发光二极管也有渐渐取代日光灯、白炽灯等传统光源的趋势。发光二极管发出的光经过其侧面边界时,会因为全反射而被反射到晶粒内部,出光效率较低。
技术实现思路
有鉴于此,有必要提供一种可提高晶粒侧壁出光效率的。 一种发光二极管模组,包括基板及设置在基板上的多个发光二极管晶粒,所述发光二极管晶粒的底面贴设在基板上。所述每一发光二极管晶粒自底面延伸的侧壁均为粗糙化表面,用以提高发光二极管晶粒侧壁的出光效率。一种发光二极管模组制造方法,其包括以下几个步骤: 步骤1,提供一基板,在该基板上成长磊晶层; 步骤2,在磊晶层上沉积一电流扩散层; 步骤3,在电流扩散层上相互间隔设置多个光阻; 步骤4,利用酸性溶液蚀刻光阻间的电流扩散层并进行光阻侧壁的粗糙化; 步骤5,通过经由侧壁粗化后的光阻的遮挡,利用电浆轰击磊晶层,从而蚀刻磊晶层,形成多个发光二极管晶粒,光阻侧壁的粗糙化图案将完全转换至发光二极管晶粒的侧壁上,使发光二极管晶粒的侧壁粗糙化。上述的发光二极管模组的发光二极管晶粒侧壁为粗糙化表面,从而能够使得发光二极管晶粒的侧壁发生全反射的概率被大幅降低,提高了发光二极管晶粒侧面的出光效率。【专利附图】【附图说明】图1为本专利技术实施方式中的发光二极管模组俯视图。图2为图1中的发光二极管模组的发光二极管晶粒放大后的视图。图3为图1中的发光二极管模组沿II1-1II方向的截面图。图4至图9为本专利技术实施方式中的发光二极管模组制造方法流程图。主要元件符号说明【权利要求】1.一种发光二极管模组,包括基板及设置在基板上的多个发光二极管晶粒,所述发光二极管晶粒的底面贴设在基板上,其特征在于:所述每一发光二极管晶粒自底面延伸的侧壁均为粗糙化表面,用以提高发光二极管晶粒侧壁的出光效率。2.如权利要求1所述的发光二极管模组,其特征在于:所述发光二极管晶粒的侧壁由多个连续的弧形凹槽构成,该多个连续的弧形凹槽沿发光二极管晶粒的高度方向延伸,共同构成一波浪状的图案。3.如权利要求1所述的发光二极管模组,其特征在于:所述发光二极管模组还包括一覆盖在基板表面及多个发光二极管晶粒上的封装层,该封装层由参杂有荧光粉的封胶树脂制成。4.如权利要求1所述的发光二极管模组,其特征在于:所述发光二极管晶粒包括磊晶层以及设置在该磊晶层上的电流扩散层,该磊晶层包括缓冲层、P型半导体层、发光层以及η型半导体层,所述电流扩散层的为粗糙化化微结构。5.如权利要求1所述的发光二极管模组,其特征在于:所述基板表面为粗糙化表面或所述基板为图案化基板。6.一种发光二极管模组制造方法,其包括以下几个步骤: 提供一基板,在该基板上成长嘉晶层; 在磊晶层上沉积一电流扩散层; 在电流扩散层上相互间隔设置多个光阻; 利用酸性溶液蚀刻光阻间的电流扩散层并进行光阻侧壁的粗糙化; 通过经由侧壁粗化后的光阻的遮挡,利用电浆轰击磊晶层,从而蚀刻磊晶层,形成多个发光二极管晶粒,光阻侧壁的粗糙化图案将完全转换至发光二极管晶粒的侧壁上,使发光二极管晶粒的侧壁粗糙化。7.如权利要求6所述的发光二极管模组制造方法,其特征在于:所述酸性溶液为ITO蚀刻液。8.如权利要求6所述的发光二极管模组制造方法,其特征在于:所述光阻的粗糙化侧壁由多个连续的微小弧形凹槽构成,该多个弧形凹槽沿光阻的高度方向延伸,共同构成一波浪状的图案。9.如权利要求6所述的发光二极管模组制造方法,其特征在于:还包括去除所述光阻,对电流扩散层上表面进行粗化以形成微结构,将一封装层覆盖基板整个表面以及多个发光二极管晶粒,从而形成一发光二极管模组的步骤。10.如权利要求9所述的发光二极管模组制造方法,其特征在于:所述电流扩散层的粗糙化微结构采用盐酸、硫酸、草酸、磷酸或者氢氟酸化学溶液进行蚀刻而形成,或者采用离子轰击方式形成。【文档编号】H01L27/15GK103456758SQ201210172847【公开日】2013年12月18日 申请日期:2012年5月30日 优先权日:2012年5月30日【专利技术者】彭建忠, 洪梓健, 沈佳辉 申请人:展晶科技(深圳)有限公司, 荣创能源科技股份有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光二极管模组,包括基板及设置在基板上的多个发光二极管晶粒,所述发光二极管晶粒的底面贴设在基板上,其特征在于:所述每一发光二极管晶粒自底面延伸的侧壁均为粗糙化表面,用以提高发光二极管晶粒侧壁的出光效率。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:彭建忠洪梓健沈佳辉
申请(专利权)人:展晶科技深圳有限公司荣创能源科技股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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