发光二极管结构及其制造方法技术

技术编号:9312571 阅读:107 留言:0更新日期:2013-11-06 18:52
本发明专利技术公开一种发光二极管结构及其制造方法。此发光二极管结构包含一绝缘基板、多个发光二极管芯片以及多个内连线层。每一发光二极管芯片包含依序堆叠在绝缘基板的表面上一第一电性半导体层、一有源层以及一第二电性半导体层。每一发光二极管芯片包含邻接的一平台结构与一第一电性半导体层暴露部分、以及一第一隔离沟槽。第一隔离沟槽设于平台结构中。内连线层分别连接发光二极管芯片的相邻二者。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种发光二极管结构,包含:绝缘基板;多个发光二极管芯片,其中每一该些发光二极管芯片包含依序堆叠在该绝缘基板的一表面上第一电性半导体层、有源层以及第二电性半导体层,且每一该些发光二极管芯片包含邻接的一平台结构与一第一电性半导体层暴露部分、以及第一隔离沟槽,该第一隔离沟槽设于该平台结构中;以及多个内连线层,分别连接该些发光二极管芯片的相邻二者。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员:朱长信李学麟徐智魁陈源泽
申请(专利权)人:奇力光电科技股份有限公司佛山市奇明光电有限公司
类型:发明
国别省市:

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