【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】【专利摘要】本专利技术公开了一种半导体器件，包括：具有第一导电类型的且具有半导体器件的有源区被界定于其中的表面的半导体层，以及在有源区内的多个被间隔开的掺杂区。该多个掺杂区具有与第一导电类型相反的第二导电类型，并且在有源区内界定半导体层的多个裸露部分。该多个掺杂区包括沿纵向延伸的多个行。每个行都包括多个纵向延伸区段，并且在第一行中的纵向延伸区段在与纵向垂直的横向上与在相邻行中的纵向延伸区段至少部分地重叠。【专利说明】相关申请的交叉引用本申请是在2009年6月26 日提交的，题目为“Semiconductor Devices IncludingSchottky Diode Having Doped Regions Arranged As Islands And Methods OfFabricating Same”的美国申请N0.12/492，670的部分继续申请，该申请N0.12/492，670是在 2006 年 8 月 I 日提交的，题目为“Semiconductor Devices Including Schottky DiodesWith Controlled...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
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