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本发明公开了一种半导体器件，包括：具有第一导电类型的且具有半导体器件的有源区被界定于其中的表面的半导体层，以及在有源区内的多个被间隔开的掺杂区。该多个掺杂区具有与第一导电类型相反的第二导电类型，并且在有源区内界定半导体层的多个裸露部分。该多...
该专利属于克里公司所有，仅供学习研究参考，未经过克里公司授权不得商用。

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