一种制备高Al组分的AlGaN材料的p型欧姆接触层的方法及应用技术

本发明专利技术公开了一种制备高Al组分的AlGaN材料的p型欧姆接触层的方法及应用，属于半导体光器件制造技术领域，包括：1）在生长衬底上制备基础芯片结构；2）在金属基片上制备单层石墨烯；3）将步骤2）制得的石墨烯转移到转移介质上，并进行图案画处理；4）将转移介质连同在其上的石墨烯压制在步骤1）得到的基础芯片结构表面，得到刻蚀用的掩膜，刻蚀掉无掩膜区域的p型AlGaN，刻蚀到n型GaN，然后去除转移介质，在基础芯片结构表面制得完整的石墨烯层；5）将表面具有完整的石墨烯层的芯片，退火后，蒸镀单层或多层金属层，得到高Al组分的AlGaN材料的p型欧姆接触层。本发明专利技术方法操作简单，改善了大电流大功率器件的热效应，成本低。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术公开了一种制备高Al组分的AlGaN材料的p型欧姆接触层的方法及应用，属于半导体光器件制造
，包括：1）在生长衬底上制备基础芯片结构；2）在金属基片上制备单层石墨烯；3）将步骤2）制得的石墨烯转移到转移介质上，并进行图案画处理；4）将转移介质连同在其上的石墨烯压制在步骤1）得到的基础芯片结构表面，得到刻蚀用的掩膜，刻蚀掉无掩膜区域的p型AlGaN，刻蚀到n型GaN，然后去除转移介质，在基础芯片结构表面制得完整的石墨烯层；5）将表面具有完整的石墨烯层的芯片，退火后，蒸镀单层或多层金属层，得到高Al组分的AlGaN材料的p型欧姆接触层。本专利技术方法操作简单，改善了大电流大功率器件的热效应，成本低。【专利说明】—种制备高AI组分的AI GaN材料的p型欧姆接触层的方法及应用
本专利技术属于半导体光器件制造
，具体涉及一种制备高Al组分的AlGaN材料的P型欧姆接触层的方法及应用，该方法利用石墨烯-金属结构实现高Al组分的AlGaN材料的P型欧姆接触。
技术介绍
石墨烯是单原子层的石墨薄膜，其晶格是由碳原子构成的二维蜂窝结构，具有独特的光学本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制备高Al组分的AlGaN材料的p型欧姆接触层的方法，其特征在于，包括以下步骤：1）在生长衬底上制备基础芯片结构；2）在金属基片上制备单层石墨烯；3）将步骤2）制得的石墨烯转移到转移介质上，并进行图案画处理；4）将转移介质连同在其上的石墨烯压制在步骤1）得到的基础芯片结构表面，得到刻蚀用的掩膜，刻蚀掉无掩膜区域的p型AlGaN，刻蚀到n型GaN，然后去除转移介质，在基础芯片结构表面制得完整的石墨烯层；5）将表面具有完整的石墨烯层的芯片，在200～400℃下，在N2气氛围下退火3～5min后，蒸镀单层或多层金属层，得到高Al组分的AlGaN材料的p型欧姆接触层。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：云峰，田振寰，王宏，王越，黄亚平，
申请(专利权)人：西安交通大学，
类型：发明
国别省市：