一种半导体芯片制造技术

一种半导体芯片，包括单晶片，在单晶片上用热氧化法生长一层SiO2绝缘隔离层膜，在SiO2绝缘隔离层膜上沉积生长一层多晶硅膜，在多晶硅膜上镀铝后通过刻蚀工艺形成与外电极连接所需的焊盘，在单晶片的中部设有半导体桥区，当向半导体芯片施加一快速电脉冲时，具有负电阻温度系数的硅条使电流急剧增加，导致半导体桥区迅速气化，接着电流通过硅蒸汽产生热等离子体，以微对流的方式渗入火炸药中使之燃烧或爆炸，本实用新型专利技术具有起爆后作用时间短，且作用时间精度较高。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种半导体芯片，包括单晶片（4），其特征在于：在单晶片（4）上用热氧化法生长一层SiO2绝缘隔离层膜（3），在SiO2绝缘隔离层膜（3）上沉积生长一层多晶硅膜（2），在多晶硅膜（2）上镀铝膜,通过刻蚀工艺形成与外电极连接所需的焊盘（1），在单晶片（4）的中部设有半导体桥区（5）。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李志锋，文冲，
申请(专利权)人：西安恒亮电子科技有限责任公司，
类型：实用新型
国别省市：