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一种半导体芯片，包括单晶片，在单晶片上用热氧化法生长一层SiO2绝缘隔离层膜，在SiO2绝缘隔离层膜上沉积生长一层多晶硅膜，在多晶硅膜上镀铝后通过刻蚀工艺形成与外电极连接所需的焊盘，在单晶片的中部设有半导体桥区，当向半导体芯片施加一快速电脉...
该专利属于西安恒亮电子科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过西安恒亮电子科技有限责任公司授权不得商用。

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