电火工品用半导体桥换能芯片制造技术

本实用新型专利技术公开了一种电火工品用半导体桥换能芯片，包括多晶硅桥台阶、电极和绝缘层多晶硅桥台阶与电流方向垂直方向的两端为内凹的圆弧形，本实用新型专利技术因为只需要在将半导体桥的桥区两端设计为圆弧形状桥区，使其在电磁场的环境中场强密度均匀，不易出现场强在局部集中密度增强的问题，同时两端圆弧形状的桥区还保留了火工品的发火临界能量低的需求，结构特别简单不需要增加成本；容易同步实现发火临界能量低发火可靠性的需求和提高抗静电强度的要求。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种电火工品用半导体桥换能芯片，包括多晶硅桥台阶（1）、电极（4）和绝缘层（3），其特征在于：多晶硅桥台阶（1）与电流方向垂直方向的两端为内凹的圆弧形。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：秦志春，田桂蓉，叶家海，张文超，朱顺官，张琳，徐振相，
申请(专利权)人：南京理工大学，
类型：实用新型
国别省市：