用于高频技术的介晶化合物、液晶介质和部件制造技术

本发明专利技术涉及包含组分A的液晶介质，所述组分A由一种或多种式X的化合物组成，其中参数具有在权利要求书中或者文中给出的含义，以及涉及相应的新型介晶化合物及其制备方法。同样地，本发明专利技术涉及这些液晶介质的用途，特别是在用于高频技术的部件中的用途，并涉及含有根据本发明专利技术介质的这类部件，以及涉及这些部件的生产和用途。根据本发明专利技术的部件特别适用于在微波和毫米波区域中的移相器，用于微波和毫米波阵列天线并非常特别用于所谓的可调谐“反射阵列”。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】【专利摘要】本专利技术涉及包含组分A的液晶介质，所述组分A由一种或多种式X的化合物组成，其中参数具有在权利要求书中或者文中给出的含义，以及涉及相应的新型介晶化合物及其制备方法。同样地，本专利技术涉及这些液晶介质的用途，特别是在用于高频技术的部件中的用途，并涉及含有根据本专利技术介质的这类部件，以及涉及这些部件的生产和用途。根据本专利技术的部件特别适用于在微波和毫米波区域中的移相器，用于微波和毫米波阵列天线并非常特别用于所谓的可调谐“反射阵列”。【专利说明】用于高频技术的介晶化合物、液晶介质和部件专利
本专利技术涉及液晶介质，特别是用于高频技术、尤其是用于高频器件的部件的液晶介质，所述器件特别是天线、尤其是用于千兆赫兹区域和万亿赫兹区域的，其在微米波或毫米波区域操作。这些部件使用特别的介晶、优选液晶的化合物或者由其构成的液晶介质，例如用于可调谐相控阵天线或者基于“反射阵列”的微波天线的可调谐单元(Zellen)的微波的相位移。此外，本专利技术涉及新型介晶化合物。现有技术和待解决的技术问题长期以来已经将液晶介质用于电光显示器(IXD)中以显示信息。在中心亚苯基环上具有额外的烷基取代的、亦称为三苯基二乙炔的双二苯乙炔(Bistolan-)化合物，已充分为本领域技术人员所熟知。例如，ffu,S.-T.，Hsu，C.-S.和 Shyu，K.-F.，Appl.Phys.Lett.,74(3)，(1999)，第344-346页公开了下式的各种具有侧甲基的液晶双二苯乙炔化合物:【权利要求】1.液晶介质，特征在于，它包含组分A，所述组分A包含一种或多种式X的化合物， 2.根据权利要求1的液晶介质，特征在于，所述组分A包含一种或多种选自式X-1和Χ-2化合物的化合物 3.根据权利要求1和2至少一项的液晶介质，特征在于，其包含组分F，所述组分F包含一种或多种式I的化合物 4.根据权利要求1至3至少一项的液晶介质，特征在于，所述组分A包含一种或多种选自式1-1至1-4化合物的化合物 5.根据权利要求1至4至少一项的液晶介质，特征在于，所述组分F包含一种或多种如权利要求4所述的式1-2和/或1-3和/或式1-4的化合物。6.根据权利要求1至5至少一项的液晶介质，特征在于，所述组分F包含一种或多种如权利要求4所述的式1-1的化合物，其中X11表示H。7.根据权利要求1至6至少一项的液晶介质，特征在于，所述组分F包含一种或多种如权利要求4所述的式1-1的化合物，其中X11表示F。8.根据权利要求1至7至少一项的液晶介质，特征在于，除了组分A之外，它额外包含一种或多种选自下列组分，组分B至E的组分: -强介电正性组分，组分B，其具有10或者更大的介电各向异性， -强介电负性组分，组分C，其具有5或者更大的介电各向异性， -组分D，其具有在大于-5.0至小于10.0范围内的介电各向异性并且由具有7个或更多个五元或六元环的化合物组成，和 -组分E,其同样具有在大于-5.0至小于10.0范围内的介电各向异性并且由具有最多6个五元或六元环的化合物组成。9.根据权利要求8的液晶介质，特征在于，它包含组分B。10.根据权利要求8和9至少一项的液晶介质,特征在于,它包含组分D。11.根据权利要求1至10的一项或多项的液晶介质，特征在于，它包含一种或多种式VI的化合物 12.制备根据权利要求1至11的一项或多项的液晶介质的方法，特征在于，将一种或多种如权利要求1所述的式X化合物与一种或多种其它化合物和/或与一种或多种添加剂混合。13.根据权利要求1至11的一项或多项的液晶介质在用于高频技术的部件中的用途。14.用于高频技术的部件，特征在于，它含有根据权利要求1至11的一项或多项的液晶介质。15.微波天线阵列，特征在于，它包含一个或多个根据权利要求14的部件。16.用于调谐微波天线阵列的方法，特征在于，将根据权利要求14的部件电寻址。17.式X的化合物 18.制备式X的化合物的方法 19.式X的化合物在液晶混合物中的用途， 【文档编号】C09K19/18GK103443245SQ201280014523 【公开日】2013年12月11日 申请日期:2012年3月7日 优先权日:2011年3月24日【专利技术者】真边笃孝, C·雅斯佩, V·赖芬拉特, E·蒙特内格罗, D·保卢特, D·克拉斯 申请人:默克专利股份有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：真边笃孝，C·雅斯佩，V·赖芬拉特，E·蒙特内格罗，D·保卢特，D·克拉斯，
申请(专利权)人：默克专利股份有限公司，
类型：
国别省市：