本发明专利技术涉及包含组分A的液晶介质，所述组分A由一种或多种式IA的化合物组成其中参数具有在权利要求中或者说明书中给出的各自含义，以及涉及相应的新型介晶化合物及其制备方法。同样地，本发明专利技术涉及这些液晶介质的用途，特别是在高频技术的部件中的用途，并涉及含有根据本发明专利技术介质的这种类型的部件，以及这些部件的生产和用途。根据本发明专利技术的部件特别适合于在微波和毫米波区域中的移相器，用于微波和毫米波阵列天线，特别是用于所谓的可调谐“反射阵列”。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】【专利摘要】本专利技术涉及包含组分A的液晶介质，所述组分A由一种或多种式IA的化合物组成其中参数具有在权利要求中或者说明书中给出的各自含义，以及涉及相应的新型介晶化合物及其制备方法。同样地，本专利技术涉及这些液晶介质的用途，特别是在高频技术的部件中的用途，并涉及含有根据本专利技术介质的这种类型的部件，以及这些部件的生产和用途。根据本专利技术的部件特别适合于在微波和毫米波区域中的移相器，用于微波和毫米波阵列天线，特别是用于所谓的可调谐“反射阵列”。【专利说明】介晶化合物、液晶介质和用于高频技术的部件专利
本专利技术涉及液晶介质，特别是用于高频技术的部件、尤其是用于高频器件的部件的液晶介质，所述器件特别是天线、尤其是用于千兆赫兹区域和万亿赫兹区域的，其在微米波或毫米波区域操作。这些部件使用特别的介晶、优选液晶的化合物或者由其构成的液晶介质，例如用于可调谐的“相控阵”天线或者基于“反射阵列”的微波天线的可调谐单元(Zellen)的微波的相位移。此外，本专利技术涉及新型的介晶化合物。现有技术和待解决的技术问题长期以来已经将液晶介质用于电光显示器(液晶显示器-1XD)中以显示信息。在中心亚苯基环上具有额外的烷基取代的、亦称为三苯基二乙炔的双二苯乙炔(Bistolan-)化合物，已充分为本领域技术人员所熟知。例如，ffu,S.-T.，Hsu，C.-S.和 Shyu，K.-F.，Appl.Phys.Lett.,74(3)，(1999)，第344-346页公开了下式的各种具有侧甲基的液晶双二苯乙炔化合物:【权利要求】1.液晶介质，特征在于它包含组分A，所述组分A包含一种或多种式IA的化合物， 2.根据权利要求1的液晶介质，特征在于组分A包含一种或多种选自式IA-1至IA-2的化合物的化合物 3.根据权利要求1和2至少一项的液晶介质，特征在于，所述组分A包含一种或多种选自式IB-1至IB-4的化合物的化合物 4.根据权利要求3的液晶介质，特征在于，所述组分A包含一种或多种如权利要求3中所述的式IB-2和/或式IB-3和/或IB-4的化合物。5.根据权利要求3或4的液晶介质，特征在于，所述组分A包含一种或多种如权利要求3中所述的式IB-1的化合物，其中X1表示H。6.根据权利要求3-5的一项或多项的液晶介质，特征在于，所述组分A包含一种或多种如权利要求3中所述的式IB-1的化合物，其中X1表示F。7.根据权利要求1-6的一项或多项的液晶介质，特征在于，除了组分A之外它额外包含一种或多种选自下列组分，组分B至E的组分: -强介电正性组分，组分B，其具有10或者更大的介电各向异性， -强介电负性组分，组分C，其具有5或者更大的介电各向异性， -组分D，其具有在大于-5.0至小于10.0范围内的介电各向异性并且由具有7个或更多个五元或六元环的化合物组成，和 -组分E,其同样具有在大于-5.0至小于10.0范围内的介电各向异性并且由具有至多6个五元或六元环的化合物组成。8.根据权利要求7的液晶介质，特征在于它包含组分B。9.根据权利要求7或8的液晶介质，特征在于它包含组分C。10.根据权利要求7-9的一项或多项的液晶介质，特征在于它包含组分D。11.根据权利要求1-10的一项或多项的液晶介质，特征在于，它包含一种或多种式VI的化合物 12.制备根据权利要求1-11的一项或多项的液晶介质的方法，特征在于，将一种或者多种如在权利要求1中所述的式IA的化合物与一种或者多种其它的化合物和/或与一种或者多种添加剂混合。13.根据权利要求1-12的一项或者多项的液晶介质在用于高频技术的部件中的用途。14.用于高频技术的部件，特征在于，它含有根据权利要求1-11的一项或多项的液晶介质。15.微波天线阵列，特征在于，它包含一种或多种根据权利要求14所述的部件。16.用于调谐微波天线阵列的方法，特征在于，根据权利要求14的部件是电寻址的。17.式IA的化合物 18.制备式IA的化合物的方法 19.式IA的化合物在液晶混合物中的用途 【文档编号】C09K19/18GK103429704SQ201280013689 【公开日】2013年12月4日 申请日期:2012年2月27日 优先权日:2011年3月24日【专利技术者】C·雅斯佩, E·蒙特尼格罗, D·鲍鲁斯, V·赖芬拉特, 真边笃孝 申请人:默克专利股份有限公司本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：C·雅斯佩，E·蒙特尼格罗，D·鲍鲁斯，V·赖芬拉特，真边笃孝，
申请(专利权)人：默克专利股份有限公司，
类型：
国别省市：
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