液晶介质制造技术

技术编号:10309844 阅读:111 留言:0更新日期:2014-08-13 13:27
本发明专利技术涉及包含至少一种式I化合物、具有负介电各向异性的液晶介质其中R1、R1*和a具有权利要求1中所指的含义,并且涉及所述介质用于特别基于VA、PS-VA、PALC、FFS或IPS效应的有源矩阵显示器的应用。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术涉及包含至少一种式I化合物、具有负介电各向异性的液晶介质其中R1、R1*和a具有权利要求1中所指的含义,并且涉及所述介质用于特别基于VA、PS-VA、PALC、FFS或IPS效应的有源矩阵显示器的应用。【专利说明】液晶介质本申请是申请号为200980151733.2的中国专利申请的分案申请。专利
本专利技术涉及包含至少一种式I化合物、具有负介电各向异性的液晶介质【权利要求】1.基于极性化合物的混合物、具有负介电各向异性的液晶介质,特征在于其包含至少一种式I的化合物 2.根据权利要求1的液晶介质,特征在于,所述式IIC的化合物为下式IIC-1的化合物 3.根据权利要求1或2的液晶介质,特征在于,所述式BC和CR的化合物是化合物BC-1至 BC-7 以及 CR-1 至 CR-5: 4.根据权利要求2或3的液晶介质,特征在于,所述介质包括数量为>3重量%、特别为>5重量%和特别优选5-25重量%的式IIC-1的化合物。5.根据权利要求1至4任一项的液晶介质,特征在于,所述介质包括浓度为5-50重量%、特别是5-40重量%以及非常特别优选10-40重量%的式L-1至L-1l的化合物。6.根据权利要求1至5任一项的液晶介质,特征在于,所述介质包含3-20重量%、特别是3-15重量%的式BC、CR、PH-1、PH-2和/或BF的化合物。7.根据权利要求1至6任一项的液晶介质,特征在于,所述介质包含至少一种式1-1至1-6的化合物: 8.根据权利要求7的液晶介质,特征在于,所述介质包含式1-1和/或式1-2的三环化合物与一种或多种式1-3至1-6的双环化合物的组合,其中所述式1-1和/或式1-2的三环化合物与一种或多种式1-3至1-6的双环化合物的组合的总比例为5-40%、优选15-35%。9.根据权利要求7或8的液晶介质,特征在于,所述介质包含式1-1和1-3的化合物,且基于整个混合物,式1-1和1-3的化合物以15-35%、优选15-25%和尤其优选18-22%的浓度包含于混合物中。10.根据权利要求7或8的液晶介质,特征在于,所述介质包含式1-2和1-3的化合物,且基于整个混合物,式1-2和1-3的化合物以15-35%、优选15-25%和尤其优选18-22%的浓度包含于混合物中。11.根据权利要求7或8的液晶介质,特征在于,所述介质包含式1-1、1-2和1-3的化合物,且基于整个混合物,式1-1、1-2和1-3的化合物以15-35%、优选15-25%和尤其优选18-22%的浓度包含于混合物中。12.根据权利要求1至11任一项的液晶介质,特征在于,所述介质包含化合物CCH-23。【文档编号】C09K19/44GK103980909SQ201410149433【公开日】2014年8月13日 申请日期:2009年12月17日 优先权日:2008年12月22日【专利技术者】M·克拉森-梅默, M·布雷默, K·施奈德, D·保卢特 申请人:默克专利股份有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
基于极性化合物的混合物、具有负介电各向异性的液晶介质,特征在于其包含至少一种式I的化合物其中R1、R1*各自彼此独立地表示具有1‑6个C原子的烷基,和a表示0或1,以及还包含至少一种选自下组的式IIC、L1‑L11、BC、CR、PH‑1、PH‑2和BF的化合物:其中R2C表示H,具有至多15个C原子的烷基且所述烷基未取代、被CN或CF3单取代或者被卤素至少单取代,其中另外地,这些基团中的一个或多个CH2基团可被‑O‑、‑S‑、‑C≡C‑、‑CF2O‑、‑OCF2‑、‑OC‑O‑或‑O‑CO‑以使得O原子不彼此直接键接的方式代替,L3‑4各自彼此独立地表示F或Cl,和v表示1-6;其中R、R1和R2各自彼此独立地具有式IIC中对R2C所指明的含义,并且Alkyl表示具有1-6个C原子的烷基,和s   表示1或2;其中RB1、RB2、RCR1、RCR2、R1、R2各自彼此独立地具有R2C的含义,c为0、1或2。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员:M·克拉森梅默M·布雷默K·施奈德D·保卢特
申请(专利权)人:默克专利股份有限公司
类型:发明
国别省市:德国;DE

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