涂层导体Ni-5at.%W合金基带的电化学抛光方法技术

本发明专利技术涉及涂层导体Ni-5at.％W合金基带的电化学抛光方法，以Ni-5at.％W合金基带作为阳极，以纯镍片作为阴极，将Ni-5at.％W合金基带在静态下浸渍于电解抛光液中，开启电源对Ni-5at.％W合金基带进行抛光处理，抛光处理后的合金基带再经去离子水反复冲洗，并用无水乙醇脱水、风机吹干即可，电解抛光液为磷酸、硫酸、乙二醇按体积比为2-4∶3-5∶2-3混合而成的电解抛光液。与现有技术相比，本发明专利技术抛光后的合金基带通过原子力显微镜分析，在5×5μm范围内RMS小于1纳米，消除了由RABiTS制备基带产生的晶界沟槽效应，且对原始基带立方织构无影响，满足涂层导体对基带表面平整度的要求。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
涂层导体Ni?5at.％W合金基带的电化学抛光方法，其特征在于，该方法以Ni?5at.％W合金基带作为阳极，以纯镍片作为阴极，将Ni?5at.％W合金基带在静态下浸渍于电解抛光液中，开启电源对Ni?5at.％W合金基带进行抛光处理，抛光处理后的合金基带再经去离子水反复冲洗，并用无水乙醇脱水、风机吹干即可，所述的电解抛光液为磷酸、硫酸、乙二醇按体积比为2?4∶3?5∶2?3混合而成的电解抛光液。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：彭东辉，朱海，韩婕，吴向阳，徐静安，李志刚，韩坤，
申请(专利权)人：上海化工研究院，
类型：发明
国别省市：