纳瓦量级低功耗高稳定性带隙基准电压源制造技术

本发明专利技术涉及一种纳瓦（nW）量级低功耗高稳定性带隙基准电压源，其包括并接于电源与地之间的启动模块、高稳定电流源产生模块、取样模块和PTAT电压加权模块；启动模块的输出端与高稳定电流源产生模块相连接，高稳定电流源产生模块的输出端与取样模块和PTAT电压加权模块相连接，取样模块的输出端与PTAT电压加权模块相连接，PTAT电压加权模块的输出端为纳瓦量级低功耗高稳定性带隙基准电压源的输出端；高稳定电流源产生模块包括电压产生电路、电压偏置电路、与电压产生电路相连接的电流源电路。本发明专利技术实现了一种nW量级极低功耗的带隙基准电压源，电路中不含电阻，且带隙电压和偏置电流均与MOS管的阈值电压无关，在节省了芯片面积的同时，具有较高的工艺稳定性。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种纳瓦量级低功耗高稳定性带隙基准电压源，其特征在于：其包括并接于电源与地之间的启动模块、高稳定电流源产生模块、取样模块和PTAT电压加权模块；所述的启动模块的输出端与所述的高稳定电流源产生模块相连接并驱动所述的高稳定电流源产生模块工作，所述的高稳定电流源产生模块的输出端与所述的取样模块和所述的PTAT电压加权模块相连接并提供偏置电流，所述的取样模块的输出端与所述的PTAT电压加权模块相连接，所述的PTAT电压加权模块的输出端为所述的纳瓦量级低功耗高稳定性带隙基准电压源的输出端；所述的高稳定电流源产生模块包括电压产生电路、与所述的电压产生电路相连接的电压偏置电路、与所述的电压产生电路相连接的电...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：白涛，梁培康，陈远金，龙善丽，
申请(专利权)人：中国兵器工业集团第二一四研究所苏州研发中心，
类型：发明
国别省市：