一种低压非带隙基准电压源制造技术

本发明专利技术涉及集成电路技术。本发明专利技术公开了一种低压非带隙基准电压源。本发明专利技术的技术方案是，一种低压非带隙基准电压源，包括由CMOS晶体管电路构成的启动电路、第一电流产生电路、第二电流产生电路、第三电流产生电路和叠加输出电路。所述启动电路为整个电路提供启动偏置电压，所述第一电流产生电路产生一股与温度成正比的电流IPTAT，所述第二电流产生电路产生一股与过驱动电压成正比的电流IPTOD，所述第三电流产生电路产生一股与阈值电压成正比的电流IPTTV，所述电流IPTTV与温度成反比，所述叠加输出电路将电流IPTAT与电流IPTTV叠加输出基准电压VREF。本发明专利技术的低压非带隙基准电压源工作电压低、输出可调、受工艺影响小、芯片面积小。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种低压非带隙基准电压源，包括由CMOS晶体管电路构成的启动电路、第一电流产生电路、第二电流产生电路、第三电流产生电路和叠加输出电路；所述CMOS晶体管电路包括十四只NMOS、十八只PMOS管、七只电阻和五只电容，具体连接关系如下：第一至第十八PMOS管的源极接电源电压；第一PMOS管的栅极、第一电容的一端、第二电容的一端、第一至第五电阻的一端、第七电阻的一端、第一NMOS管的源极、第二NMOS管的源极以及第四至第十四NMOS管的源极均接地电位；第一PMOS管的漏极、第二PMOS管的栅极均与第一电容的另一端相连接；第二PMOS管的漏极、第四PMOS管的漏极、第二NMOS管的漏极、第一NMOS管...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：周泽坤，刘德尚，许天辉，张其营，张晓敏，石跃，明鑫，王卓，张波，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：