【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种横向扩散金属氧化物半导体晶体管，其特征在于，其包括：一P型衬底以及位于该P型衬底表面上的一N型外延层；位于该N型外延层中的一P阱；位于该P阱中的一第一N型掺杂区域；穿过该第一N型掺杂区域、该P阱、该N型外延层并且直至该P型衬底的一沟槽，该沟槽的侧壁上具有第一氧化层，该沟槽中填充有P型掺杂的第一多晶硅，该第一多晶硅的上表面位于该P阱内且低于该第一N型掺杂区域；一第一金属层，该第一金属层覆盖于该第一多晶硅的上表面上以及覆盖于该第一N型掺杂区域上；以及，位于该P型衬底背面上的一源极金属层。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：纪刚，顾建平，
申请(专利权)人：上海韦尔半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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