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本发明公开了一种LDMOS，包括：一P型衬底、一N型外延层；位于该N型外延层中的一P阱；位于该P阱中的一第一N型掺杂区域；穿过该第一N型掺杂区域、该P阱、该N型外延层且直至该P型衬底的一沟槽，该沟槽的侧壁上具有第一氧化层，该沟槽中填充有P型...
该专利属于上海韦尔半导体股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海韦尔半导体股份有限公司授权不得商用。

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