【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种半导体器件，包括：半导体主体，包括：??限定垂直方向的第一表面;?具有第一最大掺杂浓度且被布置在第一表面下面的第一导电类型的漂移区域；和?具有低于第一最大掺杂浓度的第二最大掺杂浓度的第一导电类型的半导体层，该半导体层邻接漂移区域并且被布置在漂移区域下面，所述半导体主体在垂直横截面中还包括：?邻接漂移区域的第二导电类型的第一主体区域，邻接第一主体区域且被布置在第一表面与第一主体区域之间的第一导电类型的源极区域；?垂直沟槽，从第一表面延伸到至少半导体层，邻接源极区域、第一主体区域和漂移区域，并且包括绝缘栅电极;??第一接触体，在第一表面具有第一最小宽度并且与源极区域和第一主体区域低欧姆接触；??第二导电类型的第二主体区域，其仅与漂移区域形成pn结；以及?第二接触体，与第二主体区域低欧姆接触并且在第一表面具有大于第一最小宽度的第二最小宽度。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：O布兰克，F希尔勒，A毛德，R西米尼克，
申请(专利权)人：英飞凌科技奥地利有限公司，
类型：发明
国别省市：
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