氮化物半导体发光元件和LED系统技术方案

技术编号:9313544 阅读:109 留言:0更新日期:2013-11-06 19:23
本发明专利技术提供一种氮化物半导体发光元件,其具有发光层,发光层包含主面为m面的InxGa1-xN阱层(0<x≤1),InxGa1-xN阱层的In组成比x的深度方向分布(depth?profile)具有多个峰,多个峰中的各个峰的In组成比x的值不同。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员:井上彰吉田俊治横川俊哉
申请(专利权)人:松下电器产业株式会社
类型:
国别省市:

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