【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种设备，其包括：绝缘元件，其对接硅衬底的表面区域；n阱区，其安置于所述硅衬底中；p阱保护环区，其安置于所述硅衬底中处于所述n阱区与所述绝缘元件之间；以及导电层，其安置于所述硅衬底的所述表面区域上，所述导电层具有中间部分和边缘部分，所述导电层的所述中间部分与所述硅衬底的所述n阱区形成n型整流接触，所述导电层的所述中间部分与所述n阱区形成n型肖特基二极管，所述导电层的所述边缘部分与所述p阱保护环区形成p型整流接触，所述p型整流接触对接所述n型整流接触且从所述n型整流接触延伸到所述绝缘元件，所述导电层的所述边缘部分与所述p阱保护环区形成与所述n型肖特基二极管电并联的p型保护环肖特基二极管。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：克里斯·纳塞尔，丹·哈恩，金成龙，金钟集，
申请(专利权)人：飞兆半导体公司，
类型：发明
国别省市：
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