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在一个一般方面中，一种设备包含金属或金属硅化物接触层，其安置于半导体衬底的n阱区上以形成主要肖特基二极管。所述设备包含所述半导体衬底的p阱保护环区，其对接所述主要肖特基二极管。所述金属硅化物接触层具有在所述半导体衬底的所述p阱保护环区上延伸...
该专利属于飞兆半导体公司所有，仅供学习研究参考，未经过飞兆半导体公司授权不得商用。

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