设定存储装置的编程阈值的方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种设定存储装置的编程阈值的方法，确定超出存储单元擦除阈值的擦除方向的差分电压，所述差分电压是线性地决定下一个编程阶段的对应的编程阈值，所述存储单元基于通过其无源层与有源层的离子移动而操作；基于至少部分所述差分电压来设定所述下一个编程阶段的所述编程阈值；以及通过施加所述差分电压加上所述擦除阈值于所述存储单元上而擦除所述存储单元。本发明专利技术提供电流-电压值域，与/或频率-时间值域，以助于调整聚合物存储单元的编程阈值。

【技术实现步骤摘要】
设定存储装置的编程阈值的方法本申请是申请号为200580027947.0，申请日为2005年8月8日，专利技术名称为“调整聚合物存储单元的编程阈值的系统及方法”的中国专利申请的分案申请。
本专利技术涉及有关于客制化(customizing)聚合物存储单元的编程阈值，尤其涉及在后制造阶段设定与/或调整聚合物存储单元的写入和擦除的电压阈值，以在该聚合物存储单元改变状态中编程速度。
技术介绍
可携式计算机以及电子装置的激增与使用量的增加已经大大地增加存储单元的需求。数码相机、数码音效播放器、个人数字助理以及其它电子装置通常寻求使用大容量存储单元(例如闪存、智能型媒体、CF卡(CompactFlash)等)。该存储单元一般能使用在各种类型的储存装置。一般而言，信息储存与保持在一个或一个以上的多种类型储存装置中，储存装置包括长期储存媒体例如，举例来说，硬盘机、光驱以及相应的媒体、数字激光光盘(DVD,digitalvideodisk)机等。长期储存媒体一般以低成本储存大量的信息，但是速度慢于其它类型的储存装置。储存装置也包括存储装置，其往往并非都为短期储存媒体。存储装置倾向实质上快于长期储存媒体。存储装置包括，举例来说，动态随机存取存储(DRAM)、静态随机存取存储(SRAM)、双倍资料速率存储(DDR；doubledatarate)、闪存、只读存储器(ROM)等。存储装置又分成挥发性(volatile)与非挥发性(non-volatile)。假如挥发性存储单元失去电源通常会遗失信息，且一般需要定期充电周期以维持其信息。挥发性存储装置包括，举例来说，随机存取存储(RAM)、动态随机存取存储(DRAM)、静态随机存取存储(SRAM)等。非挥发性存储单元不论电源是否持续供给皆可保存其信息。非挥发性存储装置包括，但不局限于只读存储器(ROM)、可编程只读存储器(PROM,programmablereadonlymemory)、可擦除可编程只读存储器(EPROM,erasableprogrammablereadonlymemory)、闪存等。挥发性存储装置比起非挥发性存储装置一般以较低成本提供较快的运算。于是，存储装置中的各存储单元能存取或“读取”、“写入”以及“擦除”信息。存储单元以“不导通”或“导通”的状态保存信息(即限制于2种状态)，也称为“0”与“1”。一般存储装置为寻址以取回特定数目的字节(例如，每个字节有8个存储单元)。一般对挥发性存储装置来说，为了维持其状态，存储单元必须周期性地“充电”。存储装置通常由执行各种功能的半导体装置制造，并且有转换及维持该两种状态的能力。该装置通常以无机固态技术制造，例如结晶硅(crystallinesilicon)装置。因为信息储存的需求增加，所以存储装置研发者与制造商持续尝试增加存储装置的文件存取速度(如增加写入/读取速度)。然而，一般对存储单元而言，用以运算的编程阈值是固定的，且电路为设计于该固定值与不变值附近。同时，以硅为主的装置即将接近其基本物理尺寸的限制。此外，无机固态装置一般为复杂结构所累，而导致高成本与资料储存密度的损失。因此，有需要克服与已知系统有关的上述瑕疵。
技术实现思路
为了提供本专利技术一个或多个方面以下提出本专利技术的简要内容的基本了解。该内容并非本专利技术广泛性的概观。它既不是用来确定本专利技术的关键或重要组件，也不是用来描述本专利技术的范畴。更确实的说法应该是，这内容的唯一目的是以简化的形式提出本专利技术的一些概念作为开头，以下本文会提出更详细的说明。本专利技术提供一种设定存储装置的编程阈值的方法，确定超出存储单元的擦除阈值的擦除方向的电压差，其中所述电压差是线性地决定下一个编程阶段的对应的编程阈值，并且其中所述存储单元基于通过其无源层与有源层的离子移动而操作；基于所述电压差来设定所述下一个编程阶段的所述编程阈值；以及通过施加所述电压差加上所述擦除阈值于所述存储单元上而擦除所述存储单元。本专利技术提供电流-电压值域，与/或频率-时间值域，以助于调整聚合物存储单元的编程阈值。所述的设定存储装置的编程阈值的方法还包含施加电压至所述有源层以设定所述存储装置的阻抗状态，所述阻抗状态代表信息内容。所述的设定存储装置的编程阈值的方法还包含将流经所述存储装置的电流与预定值比较。所述的设定存储装置的编程阈值的方法还包含将所述存储单元的写入与擦除阈值的至少其中一个设定至预定值。在所述的设定存储装置的编程阈值的方法中，其中基于一图决定电压差，所述图绘制所述编程阈值作为所述电压差的函数。所述的设定存储装置的编程阈值的方法还包含使所述编程阈值作为所述电压差的线性函数而变化。根据本专利技术的另一个方面，一种设定存储装置的编程阈值的方法包含：确定聚合物存储单元的下一个编程阶段所需的编程阈值，所述聚合物存储单元基于通过其无源层与有源层的离子移动而操作；识别相应于所述所需的编程阈值的脉冲宽度；以及经由所述脉冲宽度来设定所述存储单元的所述编程阈值。所述的设定存储装置的编程阈值的方法还包含以电源供应电压来平衡存储速度，以在电路设计获得最佳性能。在所述的设定存储装置的编程阈值的方法中，还包含基于一图来计算所述脉冲宽度，所述图绘制所述编程阈值作为所述脉冲宽度的函数。所述的设定存储装置的编程阈值的方法还包含改变所述编程阈值作为所述脉冲宽度的双曲线函数。所述的设定存储装置的编程阈值的方法还包括在所述存储装置的所述擦除方向上施加电压。在所述的设定存储装置的编程阈值的方法中，其中在所述擦除方向上所施加的所述电压等于所述擦除阈值的擦除电压加上delta电压，该delta电压是超出所述擦除阈值的电压差。为了达成上述以及相关的目的，于是本专利技术包含下述完整说明的特征。下述说明与附图将会详细论述本专利技术特定示例性方面。然而，此方面是指示性的而非使用于本专利技术原理的不同方式。当结合附图时，本专利技术的其它方面优点与新颖特征将显露于本专利技术下述的详细说明中。为了有助于理解附图，有些附图可能不会按该附图与另一附图或已提供的附图的比例画出。附图说明图1是基于3个不同方法，用以客制化聚合物存储单元编程阈值的图。图2是根据本专利技术的一个示例性方面，调整聚合物存储单元的编程阈值的系统方块图。图3是根据本专利技术的一个方面，说明具有可调编程阈值的特定聚合物存储单元的电流-电压(I-V)特性的图。图4是根据本专利技术的一个方面，说明使用超出擦除阈值电压以设定存储单元的编程阈值的示例性方法。图5是根据本专利技术，说明经由脉冲宽度变化以设定存储单元的编程阈值的进一步示例性方法。图6是根据本专利技术的一个方面，说明编程具有可调整编程阈值的存储的编程电路。图7是根据本专利技术的一个方面，说明具有电压-时间、电流-时间对存储单元的不同编程状态的相关图。图8是根据本专利技术的一个方面，说明编程存储单元的示例性方法。图9是根据本专利技术的一个方面，说明存储装置的不同示例性结构。图10是根据本专利技术的一个方面，描述无源层或超离子层与聚合物层间接口的本质场效应图。图11是根据本专利技术的一个方面，描述聚合物存储单元在不同的状态中的图。具体实施方式本专利技术将根据附图做说明，其中，全文的参考数字都对应着其相关的组件。以下说明中，所提出的多个特定详细说明是为了提供本专利技术的透彻了解。然而，显然地本专利技术即使没有这些特定详细说明也本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种设定存储装置的编程阈值的方法，包含：确定超出存储单元擦除阈值的擦除方向的差分电压，所述差分电压是线性地决定下一个编程阶段的对应的编程阈值，所述存储单元基于通过其无源层与有源层的离子移动而操作；基于至少部分所述差分电压来设定所述下一个编程阶段的所述编程阈值；以及通过施加所述差分电压加上所述擦除阈值于所述存储单元上而擦除所述存储单元。

【技术特征摘要】
2004.08.17 US 10/919,8461.一种设定存储装置的编程阈值的方法，包含：确定超出存储单元的擦除阈值的擦除方向的电压差，其中所述电压差是线性地决定下一个编程阶段的对应的编程阈值，并且其中所述存储单元基于通过其无源层与有源层的离子移动而操作；基于所述电压差来设定所述下一个编程阶段的所述编程阈值；以及通过施加所述电压差加上所述擦除阈值于所述存储单元上而擦除所述存储单元。2.根据权利要求1所述的方法，还包含施加电压至所述有源层以设定所述存储装置的阻抗状态，其中所述阻抗状态代表信息内容。3.根据权利要求1所述的方法，还包含将流经所述存储装置的电流与预定值比较。4.根据权利要求1所述的方法，还包含将所述存储单元的写入阈值与擦除阈值的至少其中一个设定至预定值。5.根据权利要求1所述的方法，其中基于一图决定所述电压差，所述图绘制所述编程阈值作为所述电压差的函数。6.根据权利要求5所述的方法，还包含使所述编程阈值作为所述电压差的线性函数而...

【专利技术属性】
技术研发人员：S·斯皮策，J·H·克里格，D·豪恩，
申请(专利权)人：斯班逊有限公司，
类型：发明
国别省市：