相变存储器的写处理方法及装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开一种相变存储器的写处理方法及装置，通过相变存储器在接收到写请求时，根据所述写请求，产生与第一脉冲幅值对应的第一脉冲，从所述写请求中包括的地址信息对应的存储单元中读取数据；若确定所述写请求中包括的待写入数据与读取的数据不相同，则将所述第一脉冲幅值增加到第二脉冲幅值，根据所述第二脉冲幅值产生写脉冲，将所述待写入数据写入到所述地址信息对应的存储单元中。由于从第一脉冲幅值增加到第二脉冲幅值所需的时间比较短，大大缩短了从读数据到写数据的切换时间，使得读数据与写数据可以在同时完成，不仅可以应用于同步接口的相变存储器，也可以应用于异步接口的相变存储器，提高相变存储器的应用性能。

【技术实现步骤摘要】
相变存储器的写处理方法及装置
本专利技术实施例涉及通信
，尤其涉及一种相变存储器的写处理方法及装置。
技术介绍
相变存储器是一种通过相变材料的不同状态来保存信息的新型的半导体存储器，当相变存储器执行写操作时，如果待写入的数据与存储单元中已有数据相同，仍然会执行一遍写流程，即通过产生写脉冲，将相变材料加热一次。因此，随着写次数的增加会引起相变材料的损耗，使其阻值偏离额定范围，无法继续编程，从而造成该存储单元的失效。为了解决相变存储器的损耗问题，在第一种方法中，对相变存储器单元执行写操作之前，将待写入的数据保存到锁存器，之后产生读脉冲，从相变存储器的对应地址中读出数据，将读出的数据和待写入的数据比较，仅当两者不同时，才产生写脉冲，将数据写入相变存储器单元中。但是这种方法中，由于在数据写入之前先执行读取、比较操作，然后才输出写脉冲启动写操作，读写操作的分离增加了读写数据切换时间的延迟。在第二种方法中，当相变存储器的地址先送出、数据还未送出时，提前从相变存储器的对应地址中读出数据，待数据送到时直接进行比较，如果读取的数据和待写入的数据相同，则放弃当前写操作，否则执行写操作，虽然这种方法本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种相变存储器的写处理方法，其特征在于，包括：接收写请求，所述写请求中包括地址信息和待写入数据；根据所述写请求，产生与第一脉冲幅值对应的第一脉冲，从所述地址信息对应的存储单元中读取数据；若确定所述待写入数据与所述地址信息对应的存储单元中读取的数据不相同，则将所述第一脉冲幅值增加到第二脉冲幅值，根据所述第二脉冲幅值产生写脉冲，将所述待写入数据写入到所述地址信息对应的存储单元中。

【技术特征摘要】
1.一种相变存储器的写处理方法，其特征在于，包括：接收写请求，所述写请求中包括地址信息和待写入数据；根据所述写请求，产生与第一脉冲幅值对应的第一脉冲，从所述地址信息对应的存储单元中读取数据；若确定所述待写入数据与所述地址信息对应的存储单元中读取的数据不相同，则将所述第一脉冲幅值增加到第二脉冲幅值，根据所述第二脉冲幅值产生写脉冲，将所述待写入数据写入到所述地址信息对应的存储单元中，所述写脉冲用于将相变材料加热，并将所述待写入数据直接写入所述存储单元中；若确定所述待写入数据与所述地址信息对应的存储单元中读取的数据相同，则不产生写脉冲，以减少所述相变材料加热的次数。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，将所述待写入数据写入到所述地址信息对应的存储单元中之后，包括：将所述第二脉冲幅值降低到所述第一脉冲幅值，根据所述第一脉冲幅值产生第一脉冲，从所述地址信息对应的存储单元中读取数据；若确定所述地址信息对应的存储单元中读取的数据与所述待写入数据不相同，则生成错误信息。3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述第一脉冲幅值小于第二脉冲幅值。4.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述写脉冲包括第一写脉冲或第二写脉冲；第一写脉冲为SET写脉冲，所述第二写脉冲为RESET写脉冲；所述第二脉冲幅值包括第一写脉冲对应的幅值或第二写脉冲对应的幅值。5.一种相变存储器的写处理装...

【专利技术属性】
技术研发人员：李延松，
申请(专利权)人：华为技术有限公司，
类型：发明
国别省市：